[发明专利]等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201911324897.2 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111048394A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 上田雄大 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;何中文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明能够抑制聚焦环的径向的温度产生不均匀。第一载置台(2)具有载置作为等离子体处理的对象的晶片(W)的载置面(6d)和外周面。第一载置台(2)在载置面(6d)设置有加热器(6c)，在载置面(6d)的背面侧设置有供电端子(31)。第一载置台(2)在在外周面设置有将加热器(6c)与供电端子(31)连接的配线(32)且该配线内包在绝缘物中。第二载置台(7)沿第一载置台(2)的外周面设置，用于载置聚焦环(5)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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