[发明专利]用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备有效
| 申请号： | 201911191612.2 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN112863983B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 吴磊;魏强;叶如彬;洪韬;张一川;廉晓芳;黄允文 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张妍;周乃鑫 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备，在下电极组件的射频高压导体部件和地之间串联一个射频电阻结构，其一端与射频高压导体部件连接，另一端接地，射频电阻结构的直流电阻小于等于100MΩ，射频阻抗大于等于100KΩ。本发明通过在射频高压部件和接地之间增加射频电阻结构，尽管所述绝缘液体在流动过程中产生静电，但是所述射频电阻结构的射频阻抗较大，使得射频难以通过射频电阻结构接地，同时，所述射频电阻结构的直流电阻较小，使得所产生的静电能够通过射频电阻导入地，因此，有利于防止所述静电累积造成的高压击穿损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 处理 设备 电极 组件 | ||
【主权项】：
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