[发明专利]一种CMOS器件极限低温特性评价方法有效
| 申请号： | 201911156783.1 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111060795B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 祝名;刘莉;吕倩倩;张淼;谷瀚天;张伟 | 申请（专利权）人： | 中国空间技术研究院 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 王永芳 |
| 地址： | 100194 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CMOS器件极限低温特性评价方法，包括以下步骤：步骤1：确定被测CMOS器件与测试参数；步骤2：搭建极限低温测试平台；步骤3：开展常温测试与极限低温测试；步骤4：确定CMOS器件极限低温下的关键参数；步骤5：建立以关键参数表征的CMOS器件应力强度干涉模型；步骤6：计算CMOS器件极限低温失效概率。该方法考虑到在极限低温环境下CMOS器件会出现载流子冻析效应，造成器件的性能参数漂移甚至失效，搭建了一套极限低温测试平台对CMOS器件开展极限低温测试，并根据测试结果，使用应力强度干涉模型评价CMOS器件的极限低温特性，计算出CMOS器件极限低温下的失效概率，此方法弥补了CMOS器件低温测试及评价方面的技术空白，且利于推广实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 器件 极限 低温 特性 评价 方法 | ||
【主权项】：
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