[发明专利]操作非易失性存储器单元的方法有效
| 申请号： | 201911102513.2 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN111199763B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 林义琅 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种操作非易失性存储器单元的方法。所述非易失性存储器单元包含具有浮栅的浮栅晶体管。所述方法包含在编程操作中：执行初始编程搜寻操作以判别出所述浮栅晶体管的阈值电压的第一初始值，将所述浮栅晶体管的所述浮栅耦合至第一编程电压以提升所述浮栅晶体管的所述阈值电压，执行编程搜寻操作以判别出所述阈值电压的第一变量，根据所述阈值电压的所述第一变量生成第二编程电压，及将所述浮栅晶体管的浮栅耦合至所述第二编程电压以提升所述浮栅晶体管的所述阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 非易失性存储器 单元 方法 | ||
【主权项】：
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