[发明专利]晶圆清洗方法在审
| 申请号： | 201911047854.4 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110767536A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 孙兴 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆清洗方法，包括：将一晶圆置于旋转台上并进行旋转；向所述晶圆的边缘位置喷射清洗液，并且每经过一设定时间，调整所述清洗液的喷射方向与所述晶圆的中心轴之间的角度。通过先向所述晶圆的中心位置喷射清洗液，使得晶圆中心位置的颗粒等污染物朝晶圆的边缘位置运动，然后向所述晶圆的边缘位置喷射清洗液，并调整清洗液的喷射方向与晶圆的中心轴之间的角度，实现对晶圆边缘位置的多次清洗以及对晶圆边缘位置的定点清洗，使得清洗效果更佳，晶圆表面的颗粒等污染物更少。本发明提供的晶圆清洗方法能够增强对晶圆边缘的清洗能力，减少晶圆表面的缺陷，从而提高晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 清洗液 边缘位置 晶圆边缘 喷射 清洗 晶圆表面 喷射方向 中心轴 污染物 晶圆清洗 晶圆中心 清洗能力 清洗效果 良率 种晶 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：/n将一晶圆置于旋转台上并进行旋转；/n向所述晶圆的边缘位置喷射清洗液，并且每经过一设定时间，调整所述清洗液的喷射方向与所述晶圆的中心轴之间的角度。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911047854.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
