[发明专利]一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片在审
| 申请号： | 201911005180.1 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112701197A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 张剑桥;陆前军;康凯 | 申请（专利权）人： | 东莞市中图半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片。该图形化复合衬底包括：图形化基板，所述图形化基板表面蚀刻有微结构；单晶三氧化二铝薄膜，所述单晶三氧化二铝薄膜均匀覆盖在所述微结构上；所述图形化基板的蚀刻速率高于三氧化二铝的蚀刻速率，和/或所述图形化基板的热导率高于三氧化二铝的热导率。本发明实施例解决了现有蓝宝石衬底刻蚀效率低、导热性能较差的问题，可以改善蚀刻效率，使制备工艺简单化，优化散热能力，同时能够保证外延生长质量，有助于制备性能优异的LED芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 复合 衬底 制备 方法 led 外延 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市中图半导体科技有限公司，未经东莞市中图半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911005180.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：土壤监测方法、装置、设备及存储介质
- 下一篇：一种微型扬声器
