[发明专利]一种检测键合晶圆键合强度的方法和系统在审
申请号: | 201910388275.X | 申请日: | 2019-05-10 |
公开(公告)号: | CN110108776A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 熊星星 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G01N27/60 | 分类号: | G01N27/60 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种检测键合晶圆键合强度的方法和系统,所述键合晶圆包括第一晶圆和第二晶圆,所述方法包括:检测键合之前所述第一晶圆的表面电荷,得到第一电荷量;检测键合之后所述第一晶圆的表面电荷,得到第二电荷量;计算所述第二电荷量与所述第一电荷量的差值,并判断所述第二电荷量与所述第一电荷量的差值是否在第一预设范围内;若是,则判定所述键合晶圆的键合强度合格;若否,则判定所述键合晶圆的键合强度不合格。本发明提供的检测键合晶圆键合强度的方法和系统,不仅能够检测键合晶圆的键合强度,而且不会对键合晶圆的结构造成破坏,从而可以降低键合晶圆的键合强度检测成本。 | ||
搜索关键词: | 键合 晶圆 电荷量 检测键 晶圆键合 表面电荷 种检测 判定 强度检测 预设 | ||
【主权项】:
1.一种检测键合晶圆键合强度的方法,所述键合晶圆包括第一晶圆和第二晶圆,其特征在于,所述方法包括:检测键合之前所述第一晶圆的表面电荷,得到第一电荷量;检测键合之后所述第一晶圆的表面电荷,得到第二电荷量;计算所述第二电荷量与所述第一电荷量的差值,并判断所述第二电荷量与所述第一电荷量的差值是否在第一预设范围内;若是,则判定所述键合晶圆的键合强度合格;若否,则判定所述键合晶圆的键合强度不合格。
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