[发明专利]存储器、反熔丝器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910829452.3 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112447666A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 冯鹏;李雄 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 龙威壮;孙宝海 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储器、反熔丝器件及其制造方法。该反熔丝器件包括：反熔丝电极，由金属材料制成；第一掺杂区，设置于所述基底内；反熔丝层，夹设于所述反熔丝电极与所述第一掺杂区之间；第二掺杂区，设置于所述基底内且紧邻于所述第一掺杂区；其中，所述第一掺杂区、所述反熔丝电极和所述第二掺杂区均为P型掺杂或均为N型掺杂，所述反熔丝层具有绝缘性，所述绝缘层的介电常数大于二氧化硅的介电常数。这种反熔丝器件的击穿电压低、更容易被击穿，在反熔丝层被击穿后由于其击穿区域变大，反熔丝层被击穿后击穿效果更明显。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 反熔丝 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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