[发明专利]用于外延腔室的衬垫在审

申请号：	201910795861.6	申请日：	2015-08-14
公开（公告）号：	CN110527982A	公开（公告）日：	2019-12-03
发明（设计）人：	刘树坤;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;亚伦·米勒	申请（专利权）人：	应用材料公司
主分类号：	C23C16/455	分类号：	C23C16/455;C23C16/44;C30B25/14;C30B35/00
代理公司：	11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人：	徐金国;赵静<国际申请>=<国际公布>=
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
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摘要：	本文公开的实施方式描述一种衬垫组件，该衬垫组件包括多个单独分开的气体通路。该衬垫组件提供跨正受处理的基板上的流动参数的控制，这些参数诸如流速、密度、方向与空间位置。利用根据本实施方式的衬垫组件，跨正受处理的基板的工艺气体可特定地经调整以用于单个的工艺。
搜索关键词：	衬垫组件基板工艺气体空间位置流动参数气体通路地经
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【主权项】：

1.一种用于衬垫组件的下衬垫，所述下衬垫包括：/n圆筒状下主体，所述圆筒状下主体具有：/n外表面和内表面；/n多个下入口，所述多个下入口形成为与所述圆筒状下主体相连，/n所述多个下入口被构造成形成多个气体通路与所述衬垫组件的上衬/n垫部分的多个上入口相结合；/n下排气通口，所述下排气通口定位成与所述多个下入口相对，并被构造成流体连接所述上衬垫的上排气通口；/n下交叉流通口，所述下交叉流通口定位成与所述下排气通口不平行，并被构造成流体连接所述上衬垫的上交叉流通口；以及/n热感测通口，所述热感测通口与所述下交叉流通口分开。/n

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摘要：本发明属于原子层沉积反应领域，并公开了一种微纳米颗粒的快速原子层沉积设备。设备包括进料装置、料槽、起振装置和反应装置，料槽一端的上方设置有进料装置，另外一端的上方设置有反应装置，起振装置与料槽相连，使得从进料装置进入料槽中的微纳米颗粒做向前的抛掷运动直至到达反应装置的下方；反应装置包括有多个并行排列的反应喷头和设置在喷头侧面的加热片，在多个反应喷头中通入反应气体，采用惰性气体隔开，用于通入反应气体使得料槽中的微纳米颗粒发生沉积反应，微纳米颗粒到达反应装置下方后与从反应喷头中喷入的气体发生反应，以此完成沉积过程。通过本发明，缩短反应时间，提高反应效率，本设备结构简单，便于使用和维护。

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摘要：本申请设计形成具有(200)晶体织构的氮化钛膜的方法，描述了基底加工方法，其用于形成可以用于超导金属化或功函数调整应用的氮化钛材料。所述基底处理方法包括：通过气相沉积在基底上沉积至少一个单层的第一氮化钛膜，以及用等离子体激发的含氢气体处理第一氮化钛膜，其中所述第一氮化钛膜是多晶的并且所述处理使第一氮化钛膜的(200)晶体织构增加。所述方法还包括：通过气相沉积在经处理的至少一个单层的第一氮化钛膜上沉积至少一个单层的第二氮化钛膜，以及用等离子体激发的含氢气体处理至少一个单层的第二氮化钛膜。

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摘要：本实用新型公开一种手套箱结合原子层沉积的镀膜设备，设备包括清洗系统、前驱体系统、加热系统、控制系统、手套箱系统以及工作反应区系统；清洗系统用于填充惰性气体；前躯体系统用于提供沉积层所需的气相前驱体；加热系统通过线路由控制系统控制，用于为前驱体系统、管路以及工作反应区系统加热；控制系统控制清洗系统、前驱体系统的开闭和加热系统的工作温度；手套箱系统用于给活泼金属材料提供惰性保护气体环境；工作反应区系统用于放置样品及作为样品与前驱体发生反应的工作区域；本实用新型提供的手套箱结合原子层沉积镀膜设备，可以实现材料在惰性气体氛围下实现沉积过程，并同时能够保证沉积层的均匀性以及厚度的有效控制等方面。

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摘要：本发明涉及一种利用臭氧快速实现原子层沉积膜改性的方法，利用臭氧作为氧源前驱体，与金属源前驱体反应，快速实现惰性膜表面原子层沉积改性的方法。通过高活性臭氧分解膜表面吸附的金属源前驱体，将其中的甲基或乙基等基团转变为羟基，快速增加膜表面活性位点，解决惰性膜改性过程表层下成核生长的技术难题。随后，利用去离子水氧源前驱体与金属源前驱体实现活化膜表面改性。本发明原子层沉积活化后，改性物质在膜表面生长均匀且速率提高4.6倍以上，机械强度提高了10％左右，亲水性提高50％以上，同时实现渗透性提高36％以上。表现出较强的抗污染性能，对蛋白质或多糖污染物的抗静态吸附污染性能提高30％以上。

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摘要：本发明提供了一种气相沉积炉内气体悬浮装置，包括平行设置并且旋转配合的石墨盘和底座，所述底座上设有主进气孔、第一分气孔、第二分气孔、第一倾斜出气孔和第二倾斜出气孔，所述第一分气孔、第二分气孔分别位于所述主进气孔的两侧，所述第一分气孔、第二分气孔分别与所述主进气孔交汇连通于同一点。本发明的有益效果是：在主进气孔的同一位置分出第一分气孔、第二分气孔，再分别通过第一倾斜出气孔、第二倾斜出气孔产生旋转气体，推动石墨盘悬浮并转动，保证了气体流动阻力一致，有效保证了两倾斜气体流量一样，悬浮效果好，旋转顺畅，可显著提高薄膜均匀性以及质量，并有效延长装置的使用周期。

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摘要：一种铁电薄膜的制备方法，属于铁电薄膜制备技术领域，包括：S1：用衬底材料制备衬底；S2：在第一预设温度范围内，采用等离子增强原子层沉积方法对所述衬底进行处理，得到预定厚度的铁电薄膜。通过该方法制备的铁电薄膜，在制备过程中与硅衬底材料的兼容性高，而且制备的铁电薄膜其应用时的铁电性能具有较高的自发极化、剩余极化值大、抗疲劳性高、保持时间长等特性。

多系统混合气体供给设备和采用该设备的基板处理装置-201710124369.7
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申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C23C16/455
摘要：本发明提供多系统混合气体供给设备和采用该设备的基板处理装置。该多系统混合气体供给设备包括：分流器，其连接于共用的混合气体供给路径，将混合气体分支到多个供给系统，并且能够调整该多个供给系统的流量比率；以及喷射器，其针对处理容器内的多个区域的各个区域具有气体导入口和气体喷出孔，能够向所述多个区域的各个区域供给所述混合气体，所述分流器的所述多个供给系统的各个供给系统一对一地连接于所述处理容器内的所述多个区域各自的所述气体导入口。

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申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C23C16/455
摘要：本公开提供了一种用于将一种或多种反应气体供应到化学气相沉积反应器中的引射器块。引射器块包括：多个第一反应气体分配通道，其介于一个或多个第一反应气体入口和多个第一反应气体分配出口之间，以将第一反应气体输送到反应器中；以及多个第二反应气体分配通道，其介于一个或多个第二反应气体入口和多个第二反应气体分配出口之间，以将第二反应气体输送到反应器中，多个第二反应气体分配出口被至少划分为第二反应气体第一区域和第二反应气体第二区域，第二反应气体第二区域至少部分地围绕第二反应气体第一区域。

衬底处理装置和方法-201780092120.0
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摘要：一种衬底处理装置，包括密封压力容器，诸如原子层沉积ALD装置；流体入口组件，被附接到密封压力容器的壁，该流体入口组件具有穿过壁的流体入口管；以及弹性元件，在流体入口组件中的流体入口管周围，从而将入口管耦合到壁，其中弹性元件的内部表面和外部表面中的一个表面受到在压力容器内主导的压力并且另一表面受到环境压力，以及其中流体入口管防止被携带到内部的流体与所述弹性元件接触；以及一种相关方法。

用于涂覆多孔基底的表面的设备和方法-201880040649.2
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申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C23C16/455
摘要：本发明涉及用于涂覆多孔基底的表面的设备和方法，根据本发明的一个方面，提供了用于涂覆具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的多孔基底的表面的设备，所述设备包括：用于将源气体供应至多孔基底的第一表面的第一供应部；用于在多孔基底内部产生从多孔基底的第一表面朝向第二表面的方向上的流动流的第一泵送部；用于将源气体供应至多孔基底的第二表面的第二供应部；用于在多孔基底内部产生从多孔基底的第二表面朝向第一表面的方向上的流动流的第二泵送部；和用于输送基底的基底载体。

一种平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置-201920427285.5
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申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C23C16/455
摘要：一种平板式PECVD设备反应腔室特气耦合输送装置，包括位于反应腔室上盖上的上送气座、位于反应腔室内的下送气座、以及位于上送气座和下送气座之间的过渡座，上送气座上设有多个上送气接头，过渡座上设有多个过渡通道，下送气座上设有多个下送气接头，各上送气接头下端与各所述过渡通道的上端一一对应布置，各下送气接头上端一一对应地伸入各所述过渡通道的下端，过渡座上端于各所述过渡通道外周分别设有第一密封圈，过渡座上端边缘设有包括所有第一密封圈在内的第二密封圈。本实用新型可将气体从固定不动的下反应腔室安全地引入到铰链式翻盖结构的活动上盖的喷气口，本实用新型具有结构简单、可靠性好、不易出现气体泄漏等优点。

化学气相沉积装置-201710218369.3
发明人：王国超 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C23C16/455
摘要：本发明提供一种化学气相沉积装置，对现有的用于制作阵列基板的化学气相沉积装置的进行改造，通过在挡板(11)对应待沉积的半板(12)的区域设置沉积槽(111)，使沉积槽(111)的一边与挡板(11)的中轴线重合，剩余的三边与挡板(11)的相应边的距离相同，即能够在半板(12)上沉积薄膜，减少购买新机台所投资的费用，且改造费用低、改造周期短，有效降低生产成本。

喷淋头装置及MOCVD设备-201920781858.4
发明人：贾蕾;童翔 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C23C16/455
摘要：本实用新型提供一种喷淋头装置及MOCVD设备，该喷淋头装置包括固定部件(1)和旋转部件(2)，固定部件(1)和旋转部件(2)通过第一动密封结构(3)密封对接，形成一封闭空间(4)，其中，在固定部件(1)中设置有进气口(5)，该进气口(5)与封闭空间(4)连通；旋转部件(2)包括位于封闭空间(4)底部的喷淋板(21)，该喷淋板(21)能够相对于固定部件(1)围绕自身轴线旋转，且在喷淋板(21)中设置有多个出气口(211)，用于将封闭空间(4)中的气体喷出。本实用新型提供的喷淋头装置，可以提高混气均匀性，从而可以流场均匀性和气源利用率。

筒状进气装置及镀膜设备-201920812515.X
发明人：王志升 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C23C16/455
摘要：本实用新型提供的筒状进气装置及镀膜设备，包括相互嵌套的内筒体(31)和外筒体(32)，在内筒体(31)中设置有至少一组出气组，其包括多个出气孔(311)；还包括匀气结构，其设置在外筒体(32)的内周壁与内筒体(31)的外周壁之间，包括至少一条匀气通道，其数量与出气组的数量相同，且一一对应地设置；匀气通道具有一个进气端(3211)和多个出气端(3212)，各个出气端(3212)和相应的出气组中的各个出气孔(311)连通；匀气通道被设置为进气端(3211)与各个出气端(3212)之间的通道距离一致；在外筒体(32)中还设置有用于向各个匀气通道输送气体的进气通道(322)。本实用新型提供的筒状进气装置，其可以简化进气管路的结构，有效提高气体分布均匀性。

利用原子层沉积技术快速沉积氧化物薄膜的系统及方法-201810775384.2
发明人：陆雪强;潘晓霞;左雪芹 -专利权人：江苏迈纳德微纳技术有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： C23C16/455
摘要：本发明涉及利用原子层沉积技术快速沉积氧化物薄膜的系统及方法。所述系统中，流量计与第一源钢瓶连通，第一源钢瓶通过第二运输管路与三通接头的一个进口连接，第二源钢瓶通过第三运输管路与三通接头的另一个进口连接，手动隔膜阀和原子层沉积阀在第三运输管路上，三通接头的出口与反应室的进口连通，反应室的出口与真空泵的抽气口连通。所述方法将载气先通入氧源前驱体进行混合，然后通过载气将氧源前驱体持续不断的通入至反应室中，金属有机源前驱体通过脉冲的方式进入反应室，与附着在衬底表面的氧源前驱体发生化学反应，从而沉积形成氧化物薄膜。本发明的每个循环只需脉冲金属有机源前驱体，大大缩短了沉积时间，降低了生产成本。

用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统-201810775432.8
发明人：陆雪强;潘晓霞;左雪芹 -专利权人：江苏迈纳德微纳技术有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： C23C16/455
摘要：本发明涉及用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统。柜体包括前柜体和后柜体，反应腔安装在前柜体顶部，反应腔包含外腔体和多个内腔处理单元，多个的内腔处理单元在外腔体内呈多层分布，每个内腔处理单元均包括内腔体、内腔上盖和内腔加热器，内腔体与内腔上盖构成沉积腔室，内腔加热器设置在内腔体底部；每个内腔处理单元均对应配备一套前驱体输送系统和一套抽气系统；进样中转腔安装在前柜体顶部，进样中转腔与反应腔中的每个内腔处理单元之间均设有一件插板阀，搬运机器人装置设置在进样中转腔内。本发明可以避免不同薄膜之间的交互污染，同时可以满足多种前驱体源沉积多种薄膜的要求，且可以在不产生交互污染的情况下沉积多组分薄膜。

具有流量分配器的蒸气递送容器-201910631736.1
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申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C23C16/455
摘要：本发明公开了化学前体容器。所述容器包括器皿和限定内部容积的盖、进口导管、出口导管和定位在器皿内部并与进口导管流体流连通的流量分配器。所述流量分配器具有环形形状且包括分配器底板，所述分配器底板具有在其中形成的、用于经过其排出载气的多个孔。所述流量分配器包括内环形壁，所述内环形壁限定所述流量分配器中的通道口，所述通道口允许流体从所述器皿的所述内部容积通过所述流量分配器流到所述出口导管。

石墨烯金属复合粉体连续生长设备-201822232542.8
发明人：马瑜;吕雪超;王续杨;钱天宝;杨军 -专利权人：上海新池能源科技有限公司;浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C23C16/455
摘要：本实用新型公开了一种石墨烯金属复合粉体连续生长设备，包括依次相连的进样室、CVD管式炉和降温室，还包括真空机组、供气系统和加热装置，所述真空机组和供气系统均分别与进样室、CVD管式炉和降温室连接，所述加热装置与CVD管式炉连接，所述CVD管式炉与进样室之间的连通口处设有第一真空挡板阀，CVD管式炉与降温室之间的连通口处设有第二真空挡板阀。本实用新型的石墨烯金属复合粉体连续生长设备，提高生产效率，扩大生产规模，降低能耗。

低压化学气相沉积真空管式炉的补气装置-201920669084.6
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摘要：本实用新型给出了一种低压化学气相沉积真空管式炉的补气装置，包括补气管，补气管端部开有补气口；还包括冷却管和堵头，冷却管设有供冷却介质通过的内孔，冷却管在补气管的出气口处节距盘绕呈多线圈状的导流弹簧段，处于导流弹簧段的相邻冷却管线圈之间具有间隙，堵头设置在冷却管的导流段远离补气管一侧端部处。冷却管通入冷却气体，进而导流弹簧段的冷却管对补气管进行冷却，将补气管温度下降，镀膜反应气体的温度控制在反应温度以下，反应物不会沉积在补气管的管壁及补气口处；处于导流弹簧段的相邻冷却管线圈之间设有间隙，镀膜反应气体通过该间隙，达到出气缝的效果，提高镀膜工件的膜层均匀度。

一种CVD沉积炉装置-201920237964.6
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摘要：本实用新型提供了一种CVD沉积炉装置，包括沉积室、基座和进气组件，进气组件与沉积室连接，进气组件包括：进气管、分流球、3至11个分流管，分流管连接喷嘴。本实用新型提供的CVD沉积炉装置的有益效果在于：输入CVD沉积炉的源气体从进气管到达分流球后，流经不同方向的分流管，在喷嘴作用下均匀扩散在沉积室中，由于取消了分流盘，避免了源气体大量沉积在分流盘上，也避免了沉积室内气体浓度不均，大大提高了源气体的利用效率，显著提高了沉积品质。

生产氧化铝和/或氮化铝的方法-201680067039.2
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摘要：本公开涉及通过脉冲等离子体辅助沉积将无硅含碳膜沉积为间隙填充层的方法。本公开提供了一种在衬底的表面上填充图案化凹部的方法，包括：在反应空间中提供包括凹部的衬底；向所述反应空间提供无硅含碳前体，从而用气相前体填充所述凹部；以及向所述反应空间提供等离子体，从而在所述凹部中形成粘性材料，其中所述粘性材料在所述凹部中流动且在所述凹部的底部积聚，从而在所述凹部的所述底部形成沉积材料，且其中所述沉积材料凝固。通过使用烃前体的等离子体辅助沉积提供完全间隙填充，在不需要氮、氧或氢等离子体的条件下基本上不形成空隙，解决了现有技术中的一个或多个问题。

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申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C23C16/455
摘要：本发明公开了一种掺杂二维半导体的原位制备方法。本发明由原子层沉积系统实现，包含数个超反应循环，每个超反应循环均包含2m个用于生长本体材料的亚反应循环和1个用于提供杂质元素的亚反应循环。每个超反应循环中的亚反应循环的顺序为：先进行m个用于生长本体材料的亚反应循环，再进行1个用于提供杂质元素的亚反应循环，最后再进行m个用于生长本体材料的亚反应循环。本发明采用原子层沉积工艺实现原位掺杂制备二维半导体材料，既可以获得高质量的二维层状半导体，又能够通过调控亚反应循环次数，精确调控掺杂浓度。

用于处理多个基板的基板处理系统及方法-201710525409.9
发明人： J·约德伏斯基;N·B·帕蒂班德拉;P·K·纳万卡尔;L-Q·夏;藤田敏明;R·霍夫曼;J·吴;S·萨蒂亚;B·吴 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C23C16/455
摘要：提供一种用于处理多个基板的基板处理系统及方法，且该基板处理系统大体上包括至少一个基板处理平台以及至少一个基板储备平台。该基板处理平台包括旋转轨道系统，该旋转轨道系统能够支撑多个基板支撑组件，且能够连续地旋转该等基板支撑组件，每一基板支撑组件上搭载基板。每一基板定位在配置于旋转轨道系统上的基板支撑组件上，且透过至少一个喷头站与至少一个缓冲站受处理，该至少一个喷头站与至少一个缓冲站定位在该基板处理平台的该旋转轨道系统顶上。配置在该等基板支撑组件上的多个基板进出该基板处理平台而受处理。该基板储备平台包括至少一个双基板处理站，每一双基板处理站包括两个基板支撑组件，以在该等基板支撑组件上支撑两个基板。

喷头组件、沉积设备及沉积方法-201910888433.8
发明人：马春龙;罗兴安 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C23C16/455
摘要：本申请实施例公开了一种喷头组件、沉积装置及沉积方法，其中，所述喷头组件包括：第一喷头，呈环形，用于与第一工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第一工艺气体输出至待处理对象的第一区域；第二喷头，用于与第二工艺气体的供应系统的输出口连接，并将所述第二工艺气体输出至所述待处理对象的第二区域；其中，所述第一喷头的形状与所述待处理对象的形状相匹配，所述第一区域包围所述第二区域，所述待处理对象距离所述第一喷头的喷嘴端比所述第二喷头的喷嘴端近。

可变传导性气体分布装置和方法-201510765170.3
发明人： J·K·舒格鲁 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C23C16/455
摘要：公开了一种可变传导性气体分布系统、包括该可变传导性气体分布系统的反应器和系统、以及使用该可变传导性气体分布系统、反应器和系统的方法。该可变传导性气体分布系统允许对通过该气体分布系统的气流传导性的快速操控。

带遮挡板的限流环装置与化学气相沉积设备及其调节方法-201510788966.0
发明人：尹志尧;杜志游;何乃明;李可 -专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C23C16/455
摘要：本发明提供一种带遮挡板的限流环装置与化学气相沉积设备及其调节方法，在反应腔内将耐热材料制成的遮挡板设置在限流环内侧及托盘外侧之间，通过该遮挡板将限流环内表面的全部或局部进行遮蔽，以阻挡从被加热的托盘射向被冷却的限流环的热辐射，并通过遮挡板、或遮挡板与托盘的组合、或遮挡板与限流环的组合，构成引导化学气相沉积工艺所需工艺气体在反应腔内流通的空间。本发明通过限流环内侧的遮挡板阻挡来自托盘的高温热辐射，抑制反应副产物沉积，降低功耗，并实现对反应腔内的温场及流场的调节，有效改善工艺反应处理效果。

一种铅硅酸盐玻璃微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂Al2O3高阻薄膜的方法-201810791167.2
发明人：郭俊江;彭波;郭海涛;许彦涛;朱香平;曹伟伟;邹永星;陆敏 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C23C16/455
摘要：本发明涉及一种铅硅酸盐玻璃微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂Al

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]用于外延腔室的衬垫在审

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