[发明专利]化学气相生长装置和覆膜形成方法在审
| 申请号： | 201910423113.5 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110527983A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 森力;山村和市 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马倩;李志强<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是在保持于反应容器内的基材(6)的表面上成膜的化学气相生长装置，在反应容器内，具有能够保持基材(6)的第1保持部件(4)、和能够与第1保持部件(4)独立地保持基材(6)的第2保持部件(5)，第1保持部件(4)和第2保持部件(5)之中的至少一者的保持部件能够沿着上下方向移动。此外，本发明的覆膜形成方法包括：第一步骤，通过第1保持部件(4)而保持基材(6)，在基材表面上通过化学气相生长而形成覆膜；第二步骤，通过使第1保持部件(4)和第2保持部件(5)之中的至少一者的保持部件沿着上方向和下方向之中的至少一个方向移动，通过第2保持部件(5)保持基材(6)；和，第三步骤，在通过第2保持部件(5)而被保持的基材的表面上，通过化学气相生长而形成覆膜。根据本发明，能够提供能够通过1次成膜而在基材整面上形成覆膜的化学气相生长装置和覆膜形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 保持部件 基材 覆膜 化学气相生长装置 气相生长 上下方向移动 方向移动 基材表面 下方向 成膜 | ||
【主权项】：
1.化学气相生长装置，其是用于在保持于反应容器内的基材的表面上成膜的化学气相生长装置，其特征在于，/n在所述反应容器内，设有用于保持一个以上的基材的保持装置；/n所述保持装置具有一个以上的用于保持一个基材的保持结构；/n所述保持结构至少具有能够保持所述基材的第1保持部件、和能够与所述第1保持部件独立地保持所述基材的第2保持部件；/n所述第1保持部件和所述第2保持部件之中的至少一者的保持部件能够沿着上下方向移动。/n
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- 本实用新型提供一种石墨舟及管式PECVD设备，涉及太阳能电池镀膜领域，石墨舟包括沿上下方向间隔设置的多个水平放置的石墨舟片，每一石墨舟片上设有至少一个用以固定硅片的镂空部；在将硅片固定于镂空部后，一方面，位于石墨舟内的每一硅片的正面以及背面均无遮挡，在镀膜时，等离子体可分别沉积在硅片的正面以及背面，实现硅片的正面及背面同时镀膜，降低了镀膜时间，能够提高产能；同时，相较于现有的石墨舟，本实用新型中的石墨舟对硅片镀膜时，不需要进行翻片处理，可以有效减少多次插硅片对硅片的边缘造成的擦伤；另一方面，硅片呈水平放置，在进行等离子体沉积的时候，减少因重力因素导致硅片上下两端沉积的膜厚不同造成的镀膜色差。
- 一种石墨舟片上卡点快递更换治具-201920078112.7
- 汪锡华 - 上海仁朋实业有限公司
- 2019-01-17 - 2019-11-15 - C23C16/458
- 本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体是一种石墨舟片上卡点快递更换治具，包括治具基板，所述治具基板的短边侧外端均安装有夹持框，左右两侧的夹持框与治具基板组合后形成若干道承载腔，所述治具基板上设置有若干道石墨卡点，相邻的承载腔分别设置为安装区和拆卸区，所述石墨卡点均设置安装区或者拆卸区，所述安装区或者拆卸区之间不设置石墨卡点。本申请可以对石墨舟片同时进行拆卸和安装，有效提高了石墨舟片更换的作业效率，同时避免了石墨舟片转移时破损的风险，从而降低了产品的质损，减少了工艺消耗费用。
- 一种实现批量刀具自转的化学气相沉积设备-201920255196.7
- 汪舒;潜艺筝;张韬;薛喆 - 无锡职业技术学院;张家港市微纳新材料科技有限公司
- 2019-02-28 - 2019-11-15 - C23C16/458
- 本实用新型涉及的是一种自动化设备，尤其是一种实现批量刀具自转的化学气相沉积设备。包括驱动电机、底座、反应钟罩、工作台、刀具定位部件和刀具旋转部件；在底座圆周罩有反应钟罩，底座的下部开有贯通底座的进、出气口，底座的侧面设有进、出水口；驱动电机通过支架安装在底座下部；在底座上部中间位置设有工作台，工作台上设有与驱动电机通过转轴相连的刀具旋转部件，刀具旋转部件与刀具定位部件相连；在工作台两侧均设有钼片，在水平相对的两根钼片端部共同装夹有热丝。本实用新型能对预处理后的大尺寸复杂形状刀具进行CVD沉积，实现每把刀具独立自转，能根据需要处理安装齿轮，保证涂层均匀，显著提高各刀具不同部位生长温度一致性。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
