[发明专利]用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统在审
申请号: | 201810775432.8 | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN110724937A | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 陆雪强;潘晓霞;左雪芹 | 申请(专利权)人: | 江苏迈纳德微纳技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 32323 无锡市才标专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 张天翔 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统。柜体包括前柜体和后柜体,反应腔安装在前柜体顶部,反应腔包含外腔体和多个内腔处理单元,多个的内腔处理单元在外腔体内呈多层分布,每个内腔处理单元均包括内腔体、内腔上盖和内腔加热器,内腔体与内腔上盖构成沉积腔室,内腔加热器设置在内腔体底部;每个内腔处理单元均对应配备一套前驱体输送系统和一套抽气系统;进样中转腔安装在前柜体顶部,进样中转腔与反应腔中的每个内腔处理单元之间均设有一件插板阀,搬运机器人装置设置在进样中转腔内。本发明可以避免不同薄膜之间的交互污染,同时可以满足多种前驱体源沉积多种薄膜的要求,且可以在不产生交互污染的情况下沉积多组分薄膜。 | ||
搜索关键词: | 内腔 处理单元 反应腔 前柜体 中转腔 进样 加热器 交互污染 内腔体 上盖 薄膜 沉积 搬运机器人装置 前驱体输送系统 原子层沉积系统 多组分薄膜 薄膜沉积 沉积腔室 抽气系统 多层分布 前驱体源 插板阀 后柜体 外腔体 高纯 柜体 腔体 外腔 体内 配备 | ||
【主权项】:
1.用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统,包括柜体(1)、反应腔(2)、进样中转腔(3)、前驱体输送系统和抽气系统;其特征在于:所述柜体(1)包括前柜体(1.1)和后柜体(1.2),所述前柜体(1.1)的高度低于后柜体(1.2);/n所述反应腔(2)安装在前柜体(1.1)顶部,反应腔(2)包含外腔体(2.1)和多个内腔处理单元(2.2),多个所述的内腔处理单元(2.2)在外腔体(2.1)内呈多层分布,每个内腔处理单元(2.2)均包括内腔体(2.2a)、内腔上盖(2.2b)和内腔加热器(2.2c),所述内腔上盖(2.2b)盖合在内腔体(2.2a)的上端开口处,内腔体(2.2a)与内腔上盖(2.2b)构成沉积腔室,所述内腔加热器(2.2c)设置在内腔体(2.2a)底部;每个内腔处理单元(2.2)均对应配备一套前驱体输送系统和一套抽气系统,内腔处理单元(2.2)的内腔体(2.2a)上设有前驱体入口和排气口,所述前驱体入口与对应的前驱体输送系统连接,所述排气口与所述抽气系统连接;/n所述进样中转腔(3)安装在前柜体(1.1)顶部并与反应腔(2)相邻,进样中转腔(3)包括进样中转壳体(3.1),所述进样中转壳体(3.1)背离反应腔(2)的一侧设有样品放入口,所述样品放入口配装有中转密封门(3.2);进样中转腔(3)与反应腔(2)中的每个内腔处理单元(2.2)之间均设有一件插板阀(4),所述搬运机器人装置(5)设置在进样中转腔(3)内,搬运机器人装置(5)能够将样品经插板阀(4)送入到对应的内腔处理单元(2.2)中。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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