[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910567643.7 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110718593B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 余振华;夏兴国;黄松辉;黄冠育;丁国强;侯上勇;吴集锡 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203;H01L31/18;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括光子集成电路管芯、电子集成电路管芯、半导体坝和绝缘密封剂。光子集成电路管芯包括光学输入/输出部分和位于光学输入/输出部分附近的凹部，其中凹部适于横向插入至少一个光纤。电子集成电路管芯设置在光子集成电路管芯上方并且电连接至光子集成电路管芯。半导体坝设置在光子集成电路管芯上方。绝缘密封剂设置在光子集成电路管芯上方并且横向封装电子集成电路管芯和半导体坝。本发明的实施例还提供了其他的半导体结构以及形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：/n光子集成电路管芯，包括光学输入/输出部分和位于所述光学输入/输出部分附近的凹部；/n电子集成电路管芯，设置在所述光子集成电路管芯上方并且电连接至所述光子集成电路管芯；/n半导体坝，设置在所述光子集成电路管芯上方；以及/n绝缘密封剂，设置在所述光子集成电路管芯上方、横向封装所述电子集成电路管芯并且与所述半导体坝物理接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
