[发明专利]在自旋轨道矩电极和自由层之间具有用于改进性能的插入层的自旋轨道矩器件在审
| 申请号： | 201910451081.X | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660901A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | A·史密斯;I·扬;K·奥乌兹;S·马尼帕特鲁尼;C·维甘德;K·奥布莱恩;T·拉赫曼;N·萨托;B·布福德;T·戈萨维 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/14;H01L43/04;H01L27/22 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 讨论了用于SOT电极和自由磁性层之间的垂直自旋轨道矩(SOT)存储器件的插入层，采用这种插入层的存储器件和计算平台，以及形成它们的方法。插入层主要是钨，并改善了自由磁性层中的热稳定性和垂直磁各向异性。 | ||
| 搜索关键词： | 插入层 自由磁性层 存储器件 垂直磁各向异性 计算平台 热稳定性 电极 自旋 垂直 轨道 | ||
【主权项】：
1.一种垂直自旋轨道矩(pSOT)器件，包括：/n第一电极层；/n在所述第一电极层上的主要为钨的层；/n磁性结，包括在所述主要为钨的层上的自由磁性材料层；以及/n在所述自由磁性材料层上方的第二电极层。/n
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