[发明专利]基于GaN六棱台阵列的全彩发射LED外延结构及制备方法在审
| 申请号： | 201910417476.8 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN110212068A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 贾伟;张利繁;党随虎;李天保;董海亮;许并社 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/16;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 任林芳 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 基于GaN六棱台阵列的全彩发射LED外延结构及制备方法，属于半导体技术领域，可解决现有技术中荧光粉转换效率、原位沉积掩膜难以准确控制GaN微/纳米阵列尺寸及分布的问题，包括：蓝宝石衬底、形核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、图形化SiO2掩膜层；和在图形化SiO2掩膜层空隙处的n型GaN六棱台阵列，以及位于六棱台顶面处的量子点、棱上的量子线和在顶面（0001）晶面和六个半极性（10‑11）晶面上的多量子阱层，最后是p型GaN层。所述结构可准确控制GaN微/纳米阵列的尺寸及分布，能够解决二维GaN基薄膜LED中存在的量子阱限制斯塔克效应、效率骤降、发光波长单一等问题，实现全彩发射。 | ||
| 搜索关键词： | 六棱台 全彩 纳米阵列 准确控制 图形化 掩膜层 顶面 发射 制备 荧光粉 半导体技术领域 非掺杂GaN层 多量子阱层 发光波长 原位沉积 转换效率 蓝宝石 半极性 空隙处 量子点 量子线 量子阱 形核层 衬底 二维 晶面 掩膜 | ||
【主权项】：
1.一种基于GaN六棱台阵列的全彩发射LED外延结构，其特征在于：包括自下而上的蓝宝石衬底、形核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、图形化SiO2掩膜层和p型GaN层，其中，图形化SiO2掩膜层的空隙处设有n型GaN六棱台阵列，n型GaN六棱台顶面处生长有富In的量子点，n型GaN六棱台的棱上生长有富In的量子线，n型GaN六棱台的顶面（0001）晶面和六个半极性（10‑11）晶面上生长有多量子阱层。
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