[发明专利]MRAM器件的制造方法有效
| 申请号： | 201910407222.8 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN111952440B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 杨成成;刘瑞盛 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MRAM器件的制造方法，包括：在底电极上依次形成MTJ元件层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；图形化第二硬掩膜层，依次刻蚀第二硬掩膜层及第一硬掩膜层；去除剩余的第二硬掩膜层；沉积一保护层，所述保护层覆盖剩余的第一硬掩膜层的侧壁和表面以及MTJ元件层的表面；对保护层进行刻蚀，只保留覆盖于剩余的第一硬掩膜层的侧壁的保护层；以剩余的第一硬掩膜层及其侧壁的保护层为硬掩膜，刻蚀MTJ元件层，得到MTJ预制件；去除覆盖于剩余的第一硬掩膜层的侧壁的保护层；以剩余的第一硬掩膜层为硬掩膜，刻蚀MTJ预制件，得到与剩余的第一硬掩膜层的侧壁平齐的MTJ元件。本发明能够降低MTJ元件的侧壁损伤，提高MRAM器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mram 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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