[发明专利]通过电线放电加工实施SiC材料切片的方法有效
| 申请号： | 201910367570.7 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN110435022B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | F.J.桑托斯洛德里格斯;K.德拉卢特;C.弗里扎;M.海因里奇;N.奥贾;R.鲁普 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B28D7/04;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种由从SiC晶锭切割的较厚的基底SiC晶片出产较薄产品晶片的方法，该方法包括：利用支撑衬底来支撑基底SiC晶片；以及在由支撑衬底支撑基底SiC晶片时，作为电线放电加工（WEDM）过程的部分，使用引线在与基底SiC晶片的第一主表面平行的方向上切穿基底SiC晶片，以将产品晶片从基底SiC晶片分离，产品晶片当从基底SiC晶片被切割时，被附接到支撑衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 电线 放电 加工 实施 sic 材料 切片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种由从SiC晶锭切割的较厚的基底SiC晶片出产较薄产品晶片的方法，所述方法包括：利用支撑衬底来支撑所述基底SiC晶片；以及在由所述支撑衬底支撑所述基底SiC晶片时，作为电线放电加工（WEDM）过程的部分，使用引线在与所述基底SiC晶片的第一主表面平行的方向上切穿所述基底SiC晶片，以将所述产品晶片从所述基底SiC晶片分离，所述产品晶片当从所述基底SiC晶片被切割时，被附接到所述支撑衬底。
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