[发明专利]发光二极管芯片以及发光装置有效
| 申请号： | 201910222430.0 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN109920899B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 金艺瑟;金京完;禹尚沅;金智惠 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道安山市檀*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管芯片以及发光装置。发光二极管芯片包括：基板；第一导电型半导体层，配置在基板上；台面，配置到第一导电型半导体层上，包括活性层及第二导电型半导体层；至少一个沟槽，设置在台面的侧面上，形成凹陷区域；延伸电极，在所述凹陷区域中与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触；绝缘层，覆盖第一导电型半导体层及台面，包括至少一个第一开口部及第二开口部；第一焊垫电极，配置到绝缘层的上部，通过第一开口部电连接到第一导电型半导体层；及第二焊垫电极，配置到绝缘层的上部，通过第二开口部电连接到电连接到第二导电型半导体层。本发明可提高产品的耐久性，可在产品内均匀地安装多个芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 以及 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，包括：基板；第一导电型半导体层，配置在所述基板上；台面，配置在所述第一导电型半导体层上，包括活性层及第二导电型半导体层；至少一个沟槽，设置在所述台面的侧面上，形成凹陷区域；延伸电极，在所述凹陷区域中与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触；绝缘层，覆盖所述延伸电极、所述第一导电型半导体层及所述台面，包括使所述延伸电极露出的至少一个第一开口部及第二开口部；第一焊垫电极，配置在所述绝缘层上，通过至少一个所述第一开口部电连接到所述第一导电型半导体层；以及第二焊垫电极，配置在所述绝缘层上，通过所述第二开口部电连接到所述第二导电型半导体层。
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