[发明专利]立体存储器元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201910136812.1 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN111554689B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 胡志玮;叶腾豪;江昱维 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/41 | 分类号： | H10B41/41;H10B41/27;H10B41/42;H10B43/40;H10B43/27 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种立体存储器元件及其制作方法，该立体存储器元件包含一基材、多个导电层、多个绝缘层、一储存层、一绝缘隔墙、一第一通道部、一第二通道部以及一第一导电插塞。这些导电层以及绝缘层彼此交错叠层位于基材上以形成一多层叠层结构。储存层穿过多层叠层结构，且具有彼此分离的一第一串行部以及一第二串行部。第一通道部位于第一串行部的一侧边。第二通道部位于第二串行部的一侧边。第一通道部与第二通道部各包含一上通道部份以及一下通道部份。第一导电插塞连接于上通道部份以及下通道部份之间。 | ||
| 搜索关键词： | 立体 存储器 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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