[发明专利]晶粒层厚度测量方法及晶粒层异常的判断方法

摘要

本发明公开了晶粒层厚度的测量方法，至少包括以下步骤：步骤S10:将待测晶粒使用FIB处理至目标区域；步骤S20:在所述目标区域滴入由CH3COOH、HNO3、HF或者H2O、HNO3、HF按预设比例混合形成的混合酸溶液，静置预设时间后清洗，并去除所述目标区域的残留液体，得到检测样品；步骤S30：使用SEM在预设电压下对检测样品进行观察和测量。还公开了判断晶粒层异常的判断方法，通过芯片晶粒层厚度测量方法测量晶粒结构中各层厚度，并与标准值进行比较，判断芯片晶粒厚度是否存在异常，以及哪一层存在异常。本发明用于解决现有技术中对芯片晶粒层厚度测量方法的缺陷，操作简单且精确度高。

主权项

1.晶粒层厚度测量方法，其特征在于，至少包括以下步骤：步骤S10：将待测晶粒使用FIB处理至目标区域；步骤S20:在所述目标区域滴入由CH₃COOH、HNO₃、HF或者H₂O、HNO₃、HF按预设比例混合形成的混合酸溶液，静置预设时间后清洗，并去除所述待测晶粒的残留液体，得到检测样品；步骤S30：使用SEM在预设电压下对检测样品进行观察和测量。