[发明专利]形成动态随机存取装置的技术和结构在审
| 申请号： | 201880070148.9 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN111279478A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 索尼·瓦吉斯;诺榭·瓦里安 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L25/065;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法可包括提供衬底，所述衬底包括衬底基底及设置在所述衬底基底上的图案化堆叠。所述衬底可包括：第一线性结构，位于所述图案化堆叠中，所述第一线性结构沿第一方向伸长；以及第二线性结构，位于所述图案化堆叠中，所述第二线性结构沿第二方向伸长，所述第二方向相对于所述第一方向形成非零角度。所述方法还可包括选择性地在所述第二线性结构的一组侧壁上形成一组侧壁间隔件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 动态 随机存取 装置 技术 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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