[发明专利]用于执行具有多位输入矢量的矩阵计算的多级单元(MLC)非易失性(NV)存储器(NVM)矩阵电路有效
| 申请号： | 201880045785.0 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN110914906B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李夏;康相赫;W-C·陈 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/54 | 分类号： | G11C11/54;G11C5/02;G11C5/06;G11C7/10;G11C7/18;G11C8/14;G11C16/04;G06N3/063;H03K19/17736;H01L27/108;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于执行具有多位输入矢量的矩阵计算的多级单元(MLC)非易失性(NV)存储器(NVM)矩阵电路。MLC NVM矩阵电路包括多个NVM存储串电路，每个NVM存储串电路包括多个MLC NVM存储电路，每个MLC NVM存储电路包括多个NVM位单元电路，每个NVM位单元电路被配置为存储1位存储器状态。因此，每个MLC NVM存储电路根据其相应NVM位单元电路的存储器状态来存储多位存储器状态。每个NVM位单元电路包括晶体管，该晶体管的栅极节点被耦合到被配置为接收输入矢量的多个字线中的字线。MLC NVM存储电路中的给定NVM位单元电路的栅极节点的激活控制其电阻是否对耦合到相应源极线的MLC NVM存储电路的总电阻做出贡献。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 执行 具有 输入 矢量 矩阵 计算 多级 单元 mlc 非易失性 nv 存储器 nvm 电路 | ||
【主权项】：
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