[实用新型]一种半导体器件

摘要

本实用新型涉及一种半导体器件，包括Si衬底、Ge层、光源GeSn层、波导GeSn层、探测器GeSn层、光源p+掺杂Ge层、探测器p+掺杂Ge层、光源p+掺杂Si层、探测器p+掺杂Si层、光源保护层、探测器保护层、第一氧化层、第二氧化层、α‑Si层各层由下至上依次层叠设置于Si衬底上；第一应力膜设置于第一氧化层、第二氧化层、α‑Si层上和两侧及波导GeSn层两侧；第二应力膜设置于探测器GeSn层、探测器p+掺杂Ge层、探测器p+掺杂Si层、探测器保护层两侧及探测器保护层上。本实用新型通过使用Si基改性Ge材料，实现光源、波导以及探测器的同层制备，器件结构新颖、集成度高、工艺成本低。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：Si衬底(001)；Ge层(002)，设置于所述Si衬底(001)上；光源GeSn层(0031)、光源p+掺杂Ge层(0041)、光源p+掺杂Si层(0051)、光源保护层(0061)，所述光源GeSn层(0031)、所述光源p+掺杂Ge层(0041)、所述光源p+掺杂Si层(0051)、所述光源保护层(0061)由下至上依次层叠设置于所述Ge层(002)上；波导GeSn层(0032)，设置于所述Ge层(002)上；探测器GeSn层(0033)、探测器p+掺杂Ge层(0042)、探测器p+掺杂Si层(0052)、探测器保护层(0062)，所述探测器GeSn层(0033)、所述探测器p+掺杂Ge层(0042)、所述探测器p+掺杂Si层(0052)、所述探测器保护层(0062)由下至上依次层叠设置于所述Ge层(002)上；第一氧化层(0071)和第二氧化层(0072)，均设置于所述Ge层(002)上，其中，所述第一氧化层(0071)设置于所述光源GeSn层(0031)与所述波导GeSn层(0032)之间，所述第二氧化层(0072)设置于所述波导GeSn层(0032)与所述探测器GeSn层(0033)之间；α‑Si层(008)，设置于所述波导GeSn层(0032)上；第一应力膜(009)，设置于所述第一氧化层(0071)、所述第二氧化层(0072)、所述α‑Si层(008)上及两侧、所述波导GeSn层(0032)两侧；第二应力膜(010)，设置于所述探测器GeSn层(0033)、所述探测器p+掺杂Ge层(0042)、所述探测器p+掺杂Si层(0052)、所述探测器保护层(0062)两侧及所述探测器保护层(0062)上。