[实用新型]一种降低输入电容的半导体器件有效

申请号：	201822005167.3	申请日：	2018-11-30
公开（公告）号：	CN209389000U	公开（公告）日：	2019-09-13
发明（设计）人：	马克强;沈建华;孟繁新;蒋兴莉;胡强	申请（专利权）人：	中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）;成都森未科技有限公司
主分类号：	H01L21/331	分类号：	H01L21/331;H01L21/335
代理公司：	贵阳睿腾知识产权代理有限公司 52114	代理人：	谷庆红
地址：	550018 贵州省***	国省代码：	贵州;52
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摘要：	本实用新型提供了一种降低输入电容的半导体器件；包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设置有第一导电类型深扩散区和第二导电类型深扩散区第二导电类型基区内设置有第二导电类型深扩散区。具有低输入电容的半导体器件结构，将基区之间的部分栅氧层下面生长厚的第二绝缘层，这样增大了绝缘层厚度，减小了输入电容，有利于器件的高频应用。第二绝缘层上方的多晶是不连续的，这样减小了形成电容的面积进而减小了输入电容，有利于器件的高频应用，这样减小了形成电容的面积进而减小了输入电容，有利于器件的高频应用。
搜索关键词：	导电类型输入电容减小绝缘层第一导电类型高频应用深扩散半导体器件电容衬底基区半导体器件结构本实用新型低输入电容不连续栅氧层多晶主面生长
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【主权项】：

1.一种降低输入电容的半导体器件，其特征在于：包括第一导电类型衬底(110)，第一导电类型衬底(110)的第一主面内设有第二导电类型基区(120)，第二导电类型基区(120)内设置有第一导电类型深扩散区(140)和第二导电类型深扩散区(130)第二导电类型基区(120)内设置有第二导电类型深扩散区(130)，第二导电类型深扩散区(130)内设置第一导电类型深扩散区(140)，第一导电类型深扩散区(140)的第一主面上设有第一绝缘层(150)，第一绝缘层(150)上设有第一导电层(170)，第一导电层(170)和第一绝缘层(150)上设有第三绝缘层(180)，第三绝缘层(180)上设有第二导电层(190)，所述第一绝缘层下方增设第二绝缘层(160)，所述第二绝缘层的厚度大于第一绝缘层。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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