[实用新型]半导体结构有效
申请号: | 201821566621.6 | 申请日: | 2018-09-26 |
公开(公告)号: | CN209183531U | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13;H01L23/522;H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种半导体结构。在半导体结构的绝缘介质层中穿插有应力缓冲层,以反向制衡绝缘介质层的应力,避免在绝缘介质层的应力作用下导致基底发生翘曲的问题。并且,利用应力缓冲层还能够有效阻挡水汽侵入,一方面可以提高钝化层图形的精度,另一方面还可以避免应力缓冲层下方的膜层受到水汽侵蚀的问题。 | ||
搜索关键词: | 半导体结构 绝缘介质层 应力缓冲层 水汽 本实用新型 钝化层图形 应力作用 基底 膜层 翘曲 穿插 侵入 阻挡 侵蚀 | ||
【主权项】:
1.一种半导体结构,其特征在于,所述半导体结构包括基底和形成在所述基底上的钝化层,所述钝化层包括绝缘介质层和应力缓冲层,所述应力缓冲层沿着基底表面的方向穿插在所述绝缘介质层中,并且所述应力缓冲层的应力和所述绝缘介质层的应力相反。
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