[实用新型]一种用于研究金属熔体凝固行为的水模拟装置有效
| 申请号： | 201821566144.3 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN209128593U | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 房灿峰;戚琳;王蓉;王坚民;郝海;张文杰;王荫洋;黄侃 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学;常州林洪特钢有限公司;大连理工江苏研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 李晓亮;潘迅 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种用于研究金属熔体凝固行为的水模拟装置,属于冶金研究技术领域，采用氯化铵水溶液模拟金属熔体，包括结晶容器、透明发热片、控温仪器、温度传感器，以及氯化铵水溶液。结晶容器采用透明材料制作而成，其内壁布置温度传感器，外壁粘附透明发热片，透明发热片通过电极与控温仪器连接。本实用新型通过透明发热片对氯化铵水溶液进行升温至其完全溶解；根据研究需要，调节结晶容器各壁面的温度，使氯化铵结晶；在降温时可通过氯化铵的结晶、生长过程模拟研究不可透视金属的凝固行为。本实用新型通过在结晶容器壁上粘附的透明加热片对氯化铵水溶液实现精确控温，在不降低观测效果的同时，解决目前物理模拟装置无法实现精确控温和绝热的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 氯化铵水溶液 结晶容器 发热片 透明 金属熔体凝固 本实用新型 温度传感器 控温仪器 模拟装置 研究 物理模拟装置 氯化铵结晶 模拟金属 凝固行为 生长过程 透明材料 完全溶解 冶金研究 绝热 加热片 氯化铵 粘附的 电极 控温 熔体 外壁 粘附 观测 透视 金属 制作 | ||
【主权项】：
1.一种用于研究金属熔体凝固行为的水模拟装置，其特征在于，所述的水模拟装置采用氯化铵水溶液(5)模拟金属熔体，包括结晶容器(2)、透明发热片(1)、控温仪器(3)、温度传感器(4)、在结晶容器(2)内配制的氯化铵水溶液(5)；所述的结晶容器(2)采用透明材料制作而成，结晶容器(2)内壁上布置温度传感器(4)用来监测结晶容器(2)内壁温度；所述的结晶容器(2)外壁上粘附透明发热片(1)，透明发热片(1)均通过电极与控温仪器(3)相连接；控温仪器(3)根据监测温度对氯化铵水溶液(5)进行温度控制；在结晶容器(2)的各个壁面都可通过粘附透明发热片(1)、安装温度传感器(4)和控温仪器(3)实现壁面的恒温或缓慢降温，所需控温的壁面温度根据具体模拟的凝固条件确定，模拟多种条件下氯化铵水溶液(5)凝固过程中晶体形核生长过程。
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- 本发明公开了一种环形激光加热系统，可见光发射器及激光发射器朝向合束装置设置，合束装置能够将可见光发射器发射的可见光束的光路及激光发射器发射的激光光束的光路合束为相同光路并使其朝向束变环装置；束变环装置能够将可见光束或激光光束变为空心环状光束并将空心环状光束折轴射向聚焦装置；聚焦装置能够将空心环状光束聚焦并射向待加热区域。本发明将可见光束的光路与激光光束的光路合束为相同光路，工作人员可基于可见光束的平行度、束变环效果、聚焦效果、焦点位置等信息来判断激光光束的平行度、束变环效果、聚焦效果、焦点位置等信息，从而便于对激光光束进行控制调节，保证加热效果。
- 一种用于晶体生长的保温罩-201821300623.0
- 陈振先 - 福州弘丰光电科技有限公司
- 2018-08-14 - 2019-07-05 - C30B35/00
- 本实用新型涉及晶体技术领域，且公开了一种用于晶体生长的保温罩，包括培养箱，所述培养箱的顶部设置有保温罩外壳，所述保温罩外壳的底部固定连接有隔热板，所述培养箱的顶部开设有密封槽，所述密封槽的内壁固定安装有密封圈，所述培养箱的外壁和保温罩外壳的外壁均固定连接有均匀分布的锁紧块，所述锁紧块的顶部设置有固定螺钉。该用于晶体生长的保温罩，通过设置加热管，可发热来弥补与外界的热交换，从而使培养箱内部温度达到一个恒定值，且通过设置驱动装置带动风扇转动，从而加快培养箱内气流流速，使温度分布更加均匀，通过设置变频器可调节加热管的发热功率，使整个装置内部温度恒定，方便了使用者使用。
- 一种石墨芯模-201821837473.7
- 邵忠;吴彪;贾林涛 - 上海康碳复合材料科技有限公司
- 2018-11-08 - 2019-07-02 - C30B35/00
- 本实用新型公开一种石墨芯模，包括圆柱形底部，和与该圆柱形底部匹配的有弧面的盖子，盖子与圆柱形底部连接一起，盖子中间为中空设计。本实用新型有利于石墨芯模和沉积后的碳纤维坯体的分离，大大减少了橡皮锤的锤击力度和次数，延长了石墨芯模的使用寿命，一定程度上减少了成本。
- 一种单晶炉氩气回收系统-201821942697.4
- 朱刚;汪涛;封红军 - 朱刚
- 2018-11-23 - 2019-07-02 - C30B35/00
- 本实用新型涉及一种单晶炉氩气回收系统，其特征在于：废氩气储罐的出气端口通过管道连接加热器的进气端口，加热器的出气端口通过管道连接催化反应器的进气端口，催化反应器的出气端口通过管道连接冷却器的进气端口，冷却器的出气端口通过管道连接吸附器的进气端口，吸附器的出气端口通过管道连接高纯氩储罐的进气端口；所述催化反应器内装填有一氧化碳脱除催化剂，吸附器内装填沸石分子筛。本实用新型无需再使用低温精馏装置去除额外引入的空气、氧气及氢气等杂质，简化了系统流程，降低了氩气回收成本。
- 一种高纯碳化硅原料的合成方法及其应用-201711122063.4
- 高超;窦文涛;张红岩;李长进;李加林;宗艳民 - 山东天岳先进材料科技有限公司
- 2017-11-14 - 2019-06-25 - C30B35/00
- 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种高纯碳化硅原料的合成方法及其应用。本发明通过三步反应技术，形成外层为SiC、内层为Si的SiC包覆Si的高纯颗粒。将Si包覆SiC内部，在使用此颗粒作为原料生长高纯SiC单晶时，表层的SiC升华后形成残余碳后，包覆于内部的硅能够继续与残余碳反应形成新的SiC，从而不断保持Si/C比处于平衡状态；同时减少碳颗粒可以减少长晶过程中SiC单晶内的碳包裹物形成。从SiC单晶生长的源头解决SiC单晶生长过程中的杂质和碳包裹物缺陷问题。
- 一种晶体原料用预处理装置-201821216124.3
- 廖永建;周里华;张福亮 - 惠磊光电科技（上海）有限公司
- 2018-07-27 - 2019-06-21 - C30B35/00
- 本实用新型涉及光电功能晶体制备技术领域，公开了一种晶体原料用预处理装置，旨在解决现有技术中盛放装置处密封性不佳的问题，其包括盛放装置，盛放装置包括螺纹插接设置的连接筒和对接筒，对接筒远离连接筒一端开口设置，且其开口处向内延伸设有凸缘，还包括石英管，石英管开口端向外延伸设有翻边，石英管插接于对接筒中，翻边搭接于凸缘靠近连接筒一侧设置，连接筒中还同轴设有卡筒，卡筒两端开口设置，且饶其两端端面设有橡胶圈，两橡胶圈分别抵设于翻边靠近连接筒顶端的一侧和连接筒顶部内壁设置。本实用新型通过卡筒两端橡胶圈的设置，提高卡筒和翻边及连接筒内壁抵接处的密封性，从而提高抽真空效果，进而提高晶体原料预处理效果。
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