[实用新型]一种晶圆加工设备有效
| 申请号： | 201821444624.2 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN208706592U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 吴明锋 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/304;H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶圆加工设备，晶圆加工设备包括工作台及背面研磨模块；工作台用于吸附晶圆，且晶圆具有凸出于工作台的晶圆背面边缘区域；背面研磨模块位于晶圆的下方，与晶圆背面边缘区域相接触，用以对晶圆背面边缘区域进行研磨。利用背面研磨模块去除晶圆背面上的污染物，改善晶圆背面的清洁度以及平整度，避免晶圆背面的污染物对设备的污染以及由于污染物造成的晶圆背面的不平整，导致晶圆在传输过程中的脱落以及制程工艺过程中设备的报警，同时减少设备的维护保养时间，提高设备的利用率；降低晶圆在进行后续的工艺过程中晶圆背面上的污染物发生破裂及脱落的风险，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 晶圆背面 背面研磨 边缘区域 污染物 工作台 工艺过程 加工设备 种晶 晶圆加工设备 本实用新型 清洁度 产品良率 传输过程 减少设备 维护保养 研磨 对设备 平整度 去除 吸附 制程 平整 破裂 报警 污染 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆加工设备，其特征在于，包括：工作台，用于吸附晶圆，且所述晶圆具有凸出于所述工作台的晶圆背面边缘区域；背面研磨模块，位于所述晶圆的下方，所述背面研磨模块与所述晶圆背面边缘区域相接触，用以对所述晶圆背面边缘区域进行研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
