[实用新型]一种应用于X波段的宽带低噪声放大器

摘要

本实用新型是属于射频电路的领域，具体的是涉及一种应用于X波段的宽带低噪声放大器。基于负反馈的基本电路拓扑结构，在第一晶体管的基极串联峰化电感，同时在发射极串联电感并且接地。集电极接电阻来稳定系统，在第二晶体管的基极和集电极之间串联RLC反馈网络。第一晶体管和第二晶体管之间用两个耦合电容隔开，耦合电容和级间电阻共同构成级间匹配网络。第一晶体管和第二晶体管的偏置电路都采用无源结构，用三个偏置电阻驱动晶体管使其工作在放大区，并且在偏置电路中引入类似LC低通滤波器的微带线结构来滤除电源产生的纹波。采用低Q的单支短截微带线网络完成输入输出阻抗的匹配。适合应用在无线通信系统之中。

主权项

1.一种应用于X波段的宽带低噪声放大器，其特征在于：该放大器包括第一晶体管、第二晶体管、基极峰化电感、发射极反馈电感、集电极稳定电阻、级间耦合电容、第一晶体管直流偏置电阻网络、第二晶体管直流偏置电阻网络、电源旁路电容、第二晶体管RLC反馈网络、输入输出微带线匹配网络、输入输出端口和电源；其中外部的射频信号源和输入端口通过SMA接头相接，信号则输入到低噪声放大器之中，输出端口设置接射频SMA接头，第一晶体管的基极连接峰化电感，在发射极串联一个反馈电感并接地，集电极串联一个稳定性电阻，利用三个偏置电阻来驱动第一晶体管，在第一晶体管的直流偏置通路上分别添加LC低通滤波的网络，第二晶体管的发射极串联电感接地，集电极连接稳定性电阻，在基极和集电极之间添加RLC负反馈网络，第二晶体管直流偏置电路通过电阻来实现，第一晶体管和第二晶体管之间用两个耦合电容隔开，耦合电容和级间电阻共同构成级间匹配网络，整个放大器的输入输出匹配网络是通过微带线来实现，在接近电源的地方引入了去耦电容。