[实用新型]一种miniLED芯片及封装装置有效

专利信息
申请号: 201821225145.1 申请日: 2018-08-01
公开(公告)号: CN208690298U 公开(公告)日: 2019-04-02
发明(设计)人: 叶明辉;高春瑞;郑剑飞;郑文财 申请(专利权)人: 厦门多彩光电子科技有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/40
代理公司: 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 代理人: 黄国强
地址: 361000 福建省厦门市火*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型提供一种miniLED芯片及封装装置,在miniLED芯片的P电极和N电极上分别设置磁极相反的导电磁性层,封装基板的封装单元对应设置定位磁吸组;在封装时,将miniLED芯片直接批量转移至封装基板上,后续通过振动的方式使miniLED芯片的P电极和N电极分别被定位磁吸组的第一磁吸针和第二磁吸针吸合定位,进而分别电连接于封装单元的不同金属电极上,形成精确定位,实现miniLED芯片的巨量转移,后续再通过常规封胶方式固定于封装基板上完成封装,操作简便,效率高,且不会损伤miniLED芯片,改善良率。采用本方法,可完全摒弃现有技术中采用固晶机的吸嘴吸取LED芯片进行精确固晶的方式,从而避免LED芯片的漏抓或者损伤LED芯片的情况。
搜索关键词: 芯片 封装基板 定位磁吸 封装单元 封装装置 磁吸针 封装 损伤 本实用新型 磁极相反 导电磁性 金属电极 电连接 固晶机 封胶 固晶 良率 吸合 吸嘴
【主权项】:
1.一种miniLED芯片,包括:衬底、设置在该衬底上的外延层以及设置于外延层的P型层上的P电极和设置于外延层的N型层上的N电极,其特征在于:所述P电极上设置第一导电磁性层,所述N电极上设置与第一导电磁性层的磁极相反的第二导电磁性层。
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