[实用新型]一种miniLED芯片及封装装置

说明书

本实用新型提供一种miniLED芯片及封装装置，在miniLED芯片的P电极和N电极上分别设置磁极相反的导电磁性层，封装基板的封装单元对应设置定位磁吸组；在封装时，将miniLED芯片直接批量转移至封装基板上，后续通过振动的方式使miniLED芯片的P电极和N电极分别被定位磁吸组的第一磁吸针和第二磁吸针吸合定位，进而分别电连接于封装单元的不同金属电极上，形成精确定位，实现miniLED芯片的巨量转移，后续再通过常规封胶方式固定于封装基板上完成封装，操作简便，效率高，且不会损伤miniLED芯片，改善良率。采用本方法，可完全摒弃现有技术中采用固晶机的吸嘴吸取LED芯片进行精确固晶的方式，从而避免LED芯片的漏抓或者损伤LED芯片的情况。

技术领域

本实用新型涉及LED封装工艺领域，具体涉及方便巨量转移封装的miniLED芯片以及对该miniLED进行巨量转移封装的封装装置。

背景技术

MiniLED是最近出现的一个概念技术，又名“次毫米发光二极管”，意指晶粒尺寸约在100-200微米的LED。MiniLED是介于传统LED与MicroLED(LED微缩化和矩阵化技术)之间，简单来说还是传统LED背光基础上的改良版。

MiniLED简单来说，就是将LED(发光二极管)背光源进行薄膜化、微小化、阵列化，可以让LED单元在100-200微米，与OLED一样能够实现每个像素单独定址，单独驱动发光(自发光)。它的优势在于既继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，又具有自发光无需背光源的特性，体积小、轻薄，还能轻易实现节能的效果。

MiniLED的尺寸极小，采用常规的封装方法在晶元区域用吸嘴吸取LED芯片转移到指定电路上进行固晶，操作时间较长，吸嘴的吸取力度不好把控，容易造成LED芯片漏抓或者损伤等情况。因此它最大的难题就是众所周知的巨量转移(如10寸的面板上需要近万颗LED芯片)，这就造成miniLED制作成本高、良率低、效率低，这样高的技术门槛让多家厂商望而却步。

实用新型内容

为此，本实用新型提供一种方便巨量转移封装的miniLED芯片以及对该 miniLED进行巨量转移封装的封装装置。能够摒弃传统采用吸嘴吸取LED芯片进行固晶的方式，以避免漏抓或者损伤LED芯片的情况，实现提高封装良率和效率。

为实现上述目的，本实用新型所采取的技术方案如下：

一种miniLED芯片，包括：衬底、设置在该衬底上的外延层以及设置于外延层的P型层上的P电极和设置于外延层的N型层上的N电极，所述P电极上设置第一导电磁性层，所述N电极上设置与第一导电磁性层的磁极相反的第二导电磁性层。

进一步的，所述第一导电磁性层和第二导电磁性层为铁镍合金层。

进一步的，所述第一导电磁性层和第二导电磁性层的厚度为0.6-0.8微米。

一种封装装置，用于封装上所述的miniLED芯片，包括封装基板，所述封装基板上阵列设有封装单元，还包括定位磁吸组及振动装置，所述定位磁吸组可移除设置于封装基板的背面并一一对应封装单元，所述定位磁吸组包括磁极相反的第一磁吸针和第二磁吸针，第一磁吸针和第二磁吸针分别对应封装单元的正电极和负电极；所述振动装置作用于所述封装基板，将上述所述的miniLED 芯片置于封装基板上，通过振动装置的振动使miniLED芯片被定位磁吸组的第一磁吸针和第二磁吸针吸合，进而使miniLED芯片的P电极和N电极分别电连接于封装单元的正电极和负电极上。

进一步的，所述定位磁吸组的第一磁吸针和第二磁吸针均包括：定位针以及套设于定位针上的螺旋线圈，所述螺旋线圈电连接电源，通过改变螺旋线圈的电流方向来改变定位针的磁极。

再进一步的，所述定位针的材质为硅钢。

进一步的，所述封装单元的金属电极表面铺设有焊胶膜层。