[实用新型]一种高EAS的VDMOS器件有效
| 申请号： | 201821173408.9 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN208368515U | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 唐红祥 | 申请（专利权）人： | 无锡光磊电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张欢勇 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高EAS的VDMOS器件，包括重掺衬底，形成于所述重掺衬底上的轻掺磷外延层，所述轻掺磷外延层为左右两侧凹陷的横截面为“凸”型的结构，所述轻掺磷外延层凹陷的部分上设有轻掺硼层，所述轻掺硼层上设有凹槽，所述轻掺硼层前后两段上凹槽内均设有源层和重掺硼层，所述轻掺硼层中间部分的前半段凹槽上设有重掺硼层，所述轻掺硼层中间部分的后半段所对的本实用新型所述的器件的部分作为击穿区域，所述轻掺磷外延层凸起部分上设有二氧化硅层，所述二氧化硅层内设有多晶层，所述二氧化硅层外设有覆盖轻掺硼层两侧凹陷的金属层。具有更高的雪崩能量(EAS)。 | ||
| 搜索关键词： | 掺硼 外延层 掺磷 二氧化硅层 凹陷 本实用新型 衬底 雪崩能量 左右两侧 多晶层 后半段 金属层 上凹槽 击穿 两段 凸起 源层 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种高EAS的VDMOS器件，包括重掺衬底，形成于所述重掺衬底上的轻掺磷外延层，所述轻掺磷外延层为左右两侧凹陷的横截面为“凸”型的结构，所述轻掺磷外延层凹陷的部分上设有轻掺硼层，所述轻掺硼层上设有凹槽，其特征在于，所述轻掺硼层前后两段上凹槽内均设有源层和重掺硼层，所述轻掺硼层中间部分的前半段凹槽上设有重掺硼层，所述轻掺磷外延层凸起部分上设有二氧化硅层，所述二氧化硅层内设有多晶层，所述二氧化硅层外设有覆盖轻掺硼层两侧凹陷的金属层。
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