[实用新型]半导体刻蚀设备有效
| 申请号： | 201820936600.2 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN208444805U | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 周亚勇;盖晨光;曾德强;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 杨楷;毛立群 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体刻蚀设备，包括反应腔，在反应腔内设置有晶片支座，晶片支座用于承载晶片以利用等离子体对该晶片进行刻蚀，反应腔还包括内衬，内衬围绕反应腔的侧壁设置，内衬由多个片状构件沿着侧壁围合而成，多个片状构件设置为彼此至少有一部分重叠，使得反应腔的侧壁不会相对于晶片露出。本实用新型提供的半导体刻蚀设备设有片状构件，使其沿侧壁排布并至少一部分重叠而形成内衬，从而能够阻止等离子体直接与反应腔的侧壁发生接触，实现对反应腔侧壁的全面保护。涡轮泵工作时，能够通过内衬产生螺旋气流，对聚合物产生强大的吸除力，便于清洁反应腔，提高反应腔的清洁度。 | ||
| 搜索关键词： | 反应腔 侧壁 内衬 半导体刻蚀设备 片状构件 等离子体 本实用新型 晶片支座 晶片 清洁度 反应腔侧壁 承载晶片 螺旋气流 清洁反应 全面保护 聚合物 涡轮泵 刻蚀 排布 围合 吸除 | ||
【主权项】：
1.一种半导体刻蚀设备，包括反应腔，在所述反应腔内设置有晶片支座，所述晶片支座用于承载晶片以利用等离子体对该晶片进行刻蚀，其特征在于，所述反应腔还包括内衬，所述内衬围绕所述反应腔的侧壁设置，所述内衬由多个片状构件沿着所述侧壁围合而成，所述多个片状构件设置为彼此至少有一部分重叠，使得所述反应腔的侧壁不会相对于所述晶片露出。
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