[实用新型]一种高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201820658843.4 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN208271905U | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘军林;江风益;全知觉;张建立;王小兰;莫春兰;郑畅达;吴小明 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高电子迁移率晶体管，包括衬底，在衬底上依次设有缓冲层、位错阻断层、高阻层、沟道层、势垒层和盖层；所述位错阻断层为SiN层和GaN层组成的周期结构，周期数为m，其中1≤m≤10，其中SiN层呈岛状或网状分布。通过本实用新型，可使得随后生长的高阻层、沟道层、势垒层以及盖层中的位错密度大幅下降，提高晶体质量，从而提升高电子迁移率晶体管器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。 | ||
| 搜索关键词： | 位错 高电子迁移率晶体管 本实用新型 高阻层 沟道层 势垒层 阻断层 衬底 盖层 高电子迁移率晶体管器件 电子迁移率 击穿电压 网状分布 周期结构 缓冲层 漏电流 周期数 岛状 生长 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，包括衬底，其特征在于：在衬底上依次设有缓冲层、位错阻断层、高阻层、沟道层、势垒层和盖层；所述位错阻断层为SiN层和GaN层组成的周期结构，周期数为m，其中1≤m≤10，其中SiN层呈岛状或网状分布。
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