[实用新型]垂直晶体管有效
| 申请号： | 201820233768.7 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN208045512U | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | A·高蒂尔;G·C·里贝斯 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;李春辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 垂直晶体管包括在绝缘体层内延伸的栅极导体的两个部分。通过绝缘体层延伸的开口包括通过外延操作形成的源极区域、沟道区域和漏极区域。栅极导体的部分的厚度在沟道区域附近减小。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直晶体管 沟道区域 绝缘体层 栅极导体 漏极区域 源极区域 延伸 减小 开口 | ||
【主权项】：
1.一种垂直晶体管，其特征在于，包括：绝缘体层，所述绝缘体层包括开口；其中所述开口包括：外延半导体材料沟道区域；在所述沟道区域一侧上的外延半导体材料漏极；以及在所述沟道区域的相对侧上的外延半导体材料源极；以及在绝缘体层内延伸的栅极导体的部分，其中所述栅极导体部分的所述部分的厚度在所述沟道区域附近减小。
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