[发明专利]一种外腔半导体激光阵列相干合束方法和装置有效
| 申请号： | 201811636327.2 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109638631B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 肖瑜;唐霞辉;胡聪;覃贝伦 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;G02B27/10 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外腔半导体激光阵列相干合束方法，属于半导体激光阵列相干合束技术领域。本发明方法利用衍射光学元件等控制半导体外腔内的自再现模式为厄米高斯模式，实现半导体外腔内相位锁定，从而实现高功率条件下相位锁定相干模式输出。本发明技术方案基于厄米高斯光束的相干合束方法能够提供较好噪声抑制能力，模式均匀性高，因此可以提升相干激光输出功率，同时，不会产生额外的谐振腔内的损耗，因为每个厄米高斯光束的峰会直接耦合到单个发光单元中去，并且在腔内控制产生厄米高斯光束的方法有多种，多采用衍射光学元件，因此，实现本发明方法简单方便，成本低。另外本发明还公开了一种外腔半导体激光阵列相干合束装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 激光 阵列 相干 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种外腔半导体激光阵列相干合束方法，其特征在于，所述方法具体为：在半导体外腔内产生一个高阶的厄米高斯模式，所述高阶厄米高斯模式被用于相干合束。
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