[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811598906.2 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110828444A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 佐野雄一 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种具有抑制间隔芯片与模具树脂之间的剥离且能以低成本制造的封装构造的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括：衬底；第1半导体芯片，设置在衬底上；第1粘接材料，设置在第1半导体芯片上；间隔芯片，设置在第1粘接材料上；第2粘接材料，设置在间隔芯片上；第2半导体芯片，设置在第2粘接材料上；及树脂材料，被覆第1及第2半导体芯片、以及间隔芯片；且间隔芯片具有第1区域及第2区域，第1区域与第2区域相比更粗糙化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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