[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；

第1半导体芯片，设置在所述衬底上；

第1粘接材料，设置在所述第1半导体芯片上；

间隔芯片，设置在所述第1粘接材料上；

第2粘接材料，设置在所述间隔芯片上；

第2半导体芯片，设置在所述第2粘接材料上；及

树脂材料，被覆所述第1及第2半导体芯片、以及所述间隔芯片；且

所述间隔芯片具有第1区域及第2区域，所述第1区域与所述第2区域相比更粗糙化。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述间隔芯片具有搭载所述第2半导体芯片的第1面、及与所述第1面为相反侧的第2面，

所述第1区域包含所述第1面，

所述第2区域包含所述第2面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1区域是所述树脂材料与所述间隔芯片接触的部分。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第1区域包含所述间隔芯片的侧面。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2半导体芯片是存储器芯片，

所述第1半导体芯片是控制所述存储器芯片的控制器芯片。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述间隔芯片为硅。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中所述间隔芯片的材料的氧化物或碳化物至少存在于所述第1区域。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述间隔芯片的材料的氧化物或碳化物以每单位面积的比计，在所述第1区域中比所述第2区域中存在得多。

9.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上搭载第1半导体芯片；

将间隔芯片设置在所述第1半导体芯片的上方；

对所述间隔芯片照射激光，使该间隔芯片的第1区域粗糙化；

在所述间隔芯片上搭载第2半导体芯片；及

利用树脂材料被覆所述第1及第2半导体芯片、以及所述间隔芯片；且

至少所述树脂材料与所述间隔芯片的接触区域为所述第1区域。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中在所述第1区域，通过激光照射形成所述间隔芯片的材料的氧化物或碳化物。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其中所述间隔芯片为硅，且通过刀片切割而切断。