[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板有效

专利信息
申请号: 201811555725.1 申请日: 2018-12-18
公开(公告)号: CN109727920B 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 李莎莎 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L27/12
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂;程晓
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法,通过在无机绝缘层和金属层之间设置保护层,可在金属层的干蚀刻过程中对标记区及标记周边区的无机绝缘层的表面进行有效保护,减小无机绝缘层在干蚀刻制程中的表面损伤,从而有效提高后续对位过程中CCD摄像机对对位标记的识别率,提高对位检测精度,避免后续对位异常,且无需调整金属层的干蚀刻参数,间接降低了干蚀刻制程的制程约束条件,避免了对位CCD摄像机的设备改造及调试,节约了生产成本。
搜索关键词: tft 制作方法 基板
【主权项】:
1.一种TFT基板的制作方法,所述TFT基板划分出显示区及围绕所述显示区的显示外围区,所述显示外围区划分出标记区及围绕所述标记区的标记周边区;其特征在于,包括如下步骤:形成无机绝缘层的步骤,在无机绝缘层上形成保护层的步骤,在无机绝缘层及保护层上形成金属层的步骤,对金属层进行干蚀刻而得到金属图案的步骤,去除未被金属图案覆盖的保护层的步骤;所述保护层用于在对金属层进行干蚀刻过程中对标记区及标记周边区的无机绝缘层的表面进行保护。
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