[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板有效
申请号: | 201811555725.1 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN109727920B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 李莎莎 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;程晓 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法,通过在无机绝缘层和金属层之间设置保护层,可在金属层的干蚀刻过程中对标记区及标记周边区的无机绝缘层的表面进行有效保护,减小无机绝缘层在干蚀刻制程中的表面损伤,从而有效提高后续对位过程中CCD摄像机对对位标记的识别率,提高对位检测精度,避免后续对位异常,且无需调整金属层的干蚀刻参数,间接降低了干蚀刻制程的制程约束条件,避免了对位CCD摄像机的设备改造及调试,节约了生产成本。 | ||
搜索关键词: | tft 制作方法 基板 | ||
【主权项】:
1.一种TFT基板的制作方法,所述TFT基板划分出显示区及围绕所述显示区的显示外围区,所述显示外围区划分出标记区及围绕所述标记区的标记周边区;其特征在于,包括如下步骤:形成无机绝缘层的步骤,在无机绝缘层上形成保护层的步骤,在无机绝缘层及保护层上形成金属层的步骤,对金属层进行干蚀刻而得到金属图案的步骤,去除未被金属图案覆盖的保护层的步骤;所述保护层用于在对金属层进行干蚀刻过程中对标记区及标记周边区的无机绝缘层的表面进行保护。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811555725.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体器件及其制造方法和电子装置
- 下一篇:阵列基板及制作方法、显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造