[发明专利]一种基于氮化镓增强型HEMT器件低电阻欧姆接触的结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201811384297.0 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109585544A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈兴;王东;吴勇;张进成;何滇;伍旭东;檀生辉;卫祥;张金生;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/45;H01L21/335 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 房文亮 |
| 地址： | 241000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种基于氮化镓增强型HEMT器件低电阻欧姆接触的结构及其制作方法，属于微电子技术领域，包括衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，其中漏电极和源电极分居栅电极的两端，栅电极与铝镓氮势垒层之间还设有介质层，本发明制造工艺简单，重复性好，适用于GaN HEMT器件应用。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓 栅电极 增强型HEMT器件 铝镓氮势垒层 欧姆接触 低电阻 介质层 漏电极 源电极 低温氮化镓成核层 微电子技术领域 氮化铝插入层 氮化镓缓冲层 制造工艺 沟道层 衬底 制作 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于氮化镓增强型HEMT器件低电阻欧姆接触的结构，其特征在于，包括衬底(101)、低温氮化镓成核层(102)、氮化镓缓冲层(103)、氮化镓沟道层(104)、氮化铝插入层(105)、铝镓氮势垒层(106)、帽层(107)、分居两端的漏电极(108)和源电极(109)以及两者中间的栅电极(110)，上述各层从下至上依次排布，栅电极(110)与铝镓氮势垒层(106)之间还设有介质层(111)。
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