[发明专利]铁电存储器件及其操作方法在审
| 申请号： | 201811365442.0 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN110190062A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 刘香根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1159 | 分类号： | H01L27/1159;H01L27/11597;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电存储器件及其操作方法。根据一个实施例的一种铁电存储器件包括：基底导电层；沟道层，其从所述基底导电层沿垂直方向延伸；铁电层，其设置在所述沟道层上；多个铁电存储单元晶体管，其沿垂直方向层叠在所述基底导电层上；控制晶体管，其设置在所述多个铁电存储单元晶体管之上；以及位线图案，其与所述沟道层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电存储器件 基底导电层 沟道层 铁电存储单元 晶体管 垂直方向延伸 控制晶体管 位线图案 电连接 铁电层 | ||
【主权项】：
1.一种铁电存储器件，包括：基底导电层；沟道层，其从所述基底导电层沿垂直方向延伸；铁电层，其设置在所述沟道层上；多个铁电存储单元晶体管，其沿垂直方向层叠在所述基底导电层上，所述铁电存储单元晶体管中的每个铁电存储单元晶体管包括铁电层的一部分和在水平方向上设置在所述铁电层上的存储栅电极层；控制晶体管，其设置在所述多个铁电存储单元晶体管之上，且包括在水平方向上设置在所述沟道层上的控制电介质层和设置在所述控制电介质层上的控制栅电极层；以及位线图案，其与所述沟道层电连接。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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