[发明专利]半导体激光装置有效
| 申请号： | 201811331013.1 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109273982B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 佟存柱;舒世立;田思聪;汪丽杰;张新;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/04 | 分类号： | H01S5/04;H01S5/06;H01S5/40;G02B5/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 尹秀;王宝筠 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体激光装置，包括至少一个半导体激光结构，该半导体激光结构除包括半导体激光器以及准直镜外，还包括位于所述准直镜背离所述半导体激光器一侧的第一反射结构，其中，所述半导体激光器出射的第一出射光束被所述准直镜准直后形成第二出射光束射出，所述第一反射结构用于对所述第二出射光束至少部分反射，形成第一反射光束反射回所述半导体激光器，调节所述半导体激光器出射的第三出射光束的光束质量因子，从而实现所述半导体激光装置出射的激光光束的光束质量和功率的调节，使得所述半导体激光装置可以应用于具有不同光束质量和功率需求的场景下，扩大了所述半导体激光装置的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光装置，其特征在于，包括：至少一个半导体激光结构，所述半导体激光结构包括：半导体激光器、位于所述半导体激光器出射光路上的准直镜、位于所述准直镜背离所述半导体激光器一侧的第一反射结构，其中，所述半导体激光器出射的第一出射光束被所述准直镜准直后形成第二出射光束射出，所述第一反射结构用于对所述第二出射光束至少部分反射，形成第一反射光束反射回所述半导体激光器，调节所述半导体激光器出射的第三出射光束的光束质量因子；至少一个第二反射结构，所述第二反射结构与所述半导体激光结构一一对应，用于接收所述第三出射光束，改变所述第三出射光束的传输方向，形成沿预设方向传输的第二反射光束；其中，所述第三出射光束为激发光，由所述半导体激光器在所述第一反射光束的激发下产生。
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