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[发明专利]包含有机半导体层的有机电子器件-CN201880080296.9有效
发明人：伊莱纳·加兰;弗朗索瓦·卡尔迪纳利;本杰明·舒尔策 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C07D405/14 文献下载
摘要：本发明涉及包含与取代或未取代三嗪环直接结合的TAE结构的化合物，其用作电子器件的层材料，并涉及包含所述层材料的有机电子器件及其制造方法。
包含有机半导体有机电子器件

[发明专利]用于有机发光二极管的电子传输层叠层-CN201711005583.7有效
发明人：朱莉恩·弗雷;多玛果伊·帕维奇科;卡斯滕·罗特;沃洛季米尔·森科维斯基;弗朗索瓦·卡尔迪纳利;金亨宣;金炳求 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司;三星SDI株式会社
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及用于有机发光二极管的电子传输层叠层。具体地，本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)，其制造方法和包含所述OLED的装置，所述有机发光二极管(OLED)包括至少两个电子传输层的ETL叠层，其中第一电子传输层包含电荷传输化合物且第二电子传输层包含吖啶化合物和碱金属盐和/或碱金属有机络合物。
用于有机发光二极管电子传输层叠

[发明专利]化合物、包含所述化合物的有机半导体材料、包含所述材料的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件和照明器件-CN202080028736.3在审
发明人： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利;本杰明·舒尔策;埃莱娜·嘉兰加西亚;多玛果伊·帕维奇科;斯特芬·伦格;约翰内斯·斯科尔茨 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机半导体材料，其包含含有至少一个二苯并[c,h]吖啶基团和至少一个CN基团的化合物，还涉及包含所述有机半导体材料的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示器件。
化合物包含有机半导体材料材料电子器件显示器件照明

[发明专利]组合物、有机半导体层和电子器件-CN202080011511.7在审
发明人：伊莱纳·加兰;本杰明·舒尔策;弗朗索瓦·卡尔迪纳利;金亨宣;李承宰 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司;三星SDI株式会社
申请日： 2020-01-30 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C07D405/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种组合物，特别涉及一种包含组合物的有机半导体层，其适合用作用于电子器件的有机半导体层，以及其制造方法，其中所述组合物包含：a)式1的化合物；和b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。
组合有机半导体电子器件

[发明专利]有机电致发光器件以及用于其中的固体组合物-CN201980081945.1在审
发明人：本杰明·舒尔策;沃洛季米尔·森科维斯基;弗朗索瓦·卡尔迪纳利;皮埃尔·塞登格兰兹;乌尔里希·登克尔;斯特凡·左特 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含阳极、阴极、至少一个发光层和有机半导体层；其中有机半导体层布置在所述至少一个发光层和阴极之间；其中有机半导体层包含：a)第一有机化合物，所述第一有机化合物包含第一C10至C42芳烃结构组成部分和/或第一C2至C42杂芳烃结构组成部分，其中i)所述第一有机化合物的偶极矩，通过TURBOMOLE V6.5程序包使用杂化泛函B3LYP和高斯6‑31G*基集计算，为0至2.5德拜；并且ii)所述第一有机化合物在取真空能级为零的绝对尺度上的LUMO能级，通过TURBOMOLE V6.5程序包使用杂化泛函B3LYP和高斯6‑31G*基集计算，在‑1.7eV至‑2.1eV的范围内；和b)第二有机化合物，所述第二有机化合物包含第二C10至C42芳烃结构组成部分和/或第二C2至C42杂芳烃结构组成部分和另外至少一个选自氧化膦和硫化膦的极性基团，其中iii)所述第二有机化合物的偶极矩，通过TURBOMOLE V6.5程序包使用杂化泛函B3LYP和高斯6‑31G*基集计算，为1.5至10德拜；并且iv)所述第二有机化合物在取真空能级为零的绝对尺度上的LUMO能级，比所述第一有机化合物的LUMO能级高或者低小于0.25eV；其中条件是所述第一有机化合物和所述第二有机化合物彼此不同。
有机电致发光器件以及用于中的固体组合

[发明专利]有机发光器件以及用于其中的化合物-CN201980081970.X在审
发明人： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利;约翰内斯·斯科尔茨;本杰明·舒尔策;乌尔里希·登克尔 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机发光器件，其包含阴极、阳极、发光层、至少一个第一电子传输层和至少一个第二电子传输层，其中所述发光层、所述第一电子传输层和所述第二电子传输层布置在所述阴极和所述阳极之间，其中所述第一电子传输层包含式(I)的化合物并且所述第二电子传输层包含式(II)的化合物，以及涉及用于有机电子器件的化合物。L‑M (I)
有机发光器件以及用于中的化合物

[发明专利]显示器-CN201710196810.2有效
发明人：欧姆莱恩·法德尔;拉莫娜·普雷奇;卡斯滕·洛特;鲁道夫·莱斯曼;弗朗索瓦·卡尔迪纳利 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C07F9/576 文献下载
摘要：本申请涉及显示器。具体地，本申请涉及如下显示器，其包含至少一个有机发光二极管，其中所述至少一个有机发光二极管包含阳极、阴极、在所述阳极和所述阴极之间的发光层和在所述阴极与所述发光层之间的至少一个包含式(I)化合物的层：其中A1和A2独立地选自卤素，CN，取代或未取代的C1至C20烷基或杂烷基，C6至C20芳基或C5至C20杂芳基，C1至C20烷氧基或C6至C20芳氧基，A3选自取代或未取代的C6至C40芳基或C5至C40杂芳基，m＝0、1或2，n＝0、1或2。
显示器

[发明专利]包含两种金属掺杂剂的n型掺杂半导体材料-CN201680065531.6有效
发明人：托马斯·卡里兹;弗朗索瓦·卡尔迪纳利;杰罗姆·加尼耶;乌韦·戈尔弗特;维金塔斯·扬库什;卡斯滕·洛特;本杰明·舒尔策;斯特芬·维尔曼 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体材料、包含这样的材料的电子器件及其制备方法，所述半导体材料包含(i)由至少一种基本上共价基质化合物组成的基本上共价基质材料，(ii)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属，和(iii)至少一种选自Zn、Hg、Cd和Te的第二金属。
包含金属掺杂半导体材料

[发明专利]用于制备含金属层的方法-CN201680065794.7有效
发明人：托马斯·卡里兹;弗朗索瓦·卡尔迪纳利;杰罗姆·加尼耶;乌韦·戈尔弗特;维金塔斯·扬库什;卡斯滕·罗特;本杰明·舒尔策;斯特芬·维尔曼 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：用于制备含金属层的方法、包含所述材料的电子器件以及其制备方法，所述方法包括(i)至少一个在低于10‑2Pa的压力下从被加热到100℃至600℃的温度的第一蒸发源中提供的金属合金共蒸发a)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属和b)至少一种选自Mg、Zn、Hg、Cd和Te的第二金属的步骤，和(ii)所述第一金属在温度低于所述第一蒸发源温度的表面上的至少一个后续沉积步骤，其中在步骤(i)中，所述合金至少部分地以包含所述第一金属和所述第二金属的均相形式提供。
用于制备金属方法

[发明专利]化合物、其制备方法、有机半导体层、有机电子器件、包含其的显示装置和照明装置-CN201980026360.X在审
发明人：本杰明·舒尔策;弗朗索瓦·卡尔迪纳利;约翰内斯·斯科尔茨 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2019-04-05 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C07D221/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种式(I)的化合物、所述化合物的制备方法、包含所述化合物的有机半导体层、包含所述有机半导体层的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示装置或照明装置，其中Ar1选自取代或未取代的C2～C36杂芳基，且基团Ar1通过其碳原子中的一个结合到由式(I)表示的其余结构上；Ar2选自取代或未取代的C6～C36芳基和包含选自O、S和Se中的至少一个杂原子的取代或未取代的C4～C36杂芳基，其中所述包含选自O、S和Se中的至少一个杂原子的杂芳基基团通过其碳原子中的一个结合到由式(I)表示的其余结构上；Ar3选自取代或未取代的C6～C18芳亚基和取代或未取代的C3～C18杂芳亚基，其中条件是所述基团Ar3包含不超过三个稠环；其中，在Ar1、Ar2和Ar3中的一个或多个被取代的情况下，所述取代基各自独立地选自D、F、C1～C20直链烷基、C3～C20支链烷基、C3～C20环状烷基、C1～C20直链烷氧基、C3～C20支链烷氧基、直链氟化的C1～C12烷基、直链氟化的C1～C12烷氧基、C3～C12支链氟化的环状烷基、C3～C12氟化的环状烷基、C3～C12氟化的环状烷氧基、CN、RCN、C6～C20芳基、C2～C20杂芳基、OR、SR、(C＝O)R、(C＝O)NR2、SiR3、(S＝O)R、(S＝O)2R、(P＝O)R2；其中各个R独立地选自：C1～C20直链烷基、C1～C20烷氧基、C1～C20硫代烷基、C3～C20支链烷基、C3～C20环状烷基、C3～C20支链烷氧基
化合物制备方法有机半导体有机电子器件包含显示装置照明装置

[发明专利]用于电子光电器件的有机材料和包含所述有机材料的电子器件-CN201980015982.2在审
发明人：本杰明·舒尔策;弗朗索瓦·卡尔迪纳利;黄强 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2019-02-08 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C07D239/26 文献下载
摘要：本发明涉及有机材料和包含所述有机材料的电子器件，特别是电致发光器件，特别是有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含双杂芳基取代的芳基或杂芳基，其进一步被取代的芳基部分取代。
用于电子光电器件有机材料包含电子器件

[发明专利]包含有机半导体层的有机发光二极管-CN201780029624.8有效
发明人：雷吉娜·卢舍蒂尼特兹;弗朗索瓦·卡尔迪纳利;朱莉恩·弗雷;多玛果伊·帕维奇科 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含阳极，阴极，至少一个发光层和有机半导体层，其中所述有机半导体层布置在所述阳极与所述阴极之间，并且所述有机半导体层包含碱金属有机络合物和式1化合物，其中X选自O、S或Se；并且R1和R2独立地选自C6至C18芳基基团和C5至C18杂芳基基团，其中R1和R2中的每一个可独立地是未被取代的或被至少一个C1至C12烷基基团或C1至C12烷氧基基团，优选C1至C4烷基基团或C1至C4烷氧基基团取代；并且各R3、R4、R5和R6独立地选自H、C1至C12烷基基团或C1至C12烷氧基基团，优选H、C1至C4烷基基团或C1至C4烷氧基基团；并涉及制备所述有机发光二极管的方法以及所述有机发光二极管中包含的式1化合物。
包含有机半导体有机发光二极管

[发明专利]包含有机半导体层的有机电子器件-CN201880080292.0在审
发明人：伊莱纳·加兰;弗朗索瓦·卡尔迪纳利;本杰明·舒尔策 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C07D219/02 文献下载
摘要：本发明涉及用作电子器件的层材料的包含TAE结构的化合物，并涉及包含所述层材料的有机电子器件及其制造方法。
包含有机半导体有机电子器件

[发明专利]电子器件及其制备方法-CN201880082306.2在审
发明人： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利;杰罗姆·加尼耶;卡斯滕·罗特;本杰明·舒尔策 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子器件及其制备方法，所述电子器件含有包含硼酸盐络合物的半导体层，所述硼酸盐络合物包含选自Ca和Sr中的金属和至少一种硼酸根配体，其中所述硼酸根配体包含至少一个杂环基团。
电子器件及其制备方法

[发明专利]半导体材料、其制备方法以及电子器件-CN201880082463.3在审
发明人： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利;杰罗姆·加尼耶;卡斯滕·罗特;本杰明·舒尔策 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体材料、包含所述半导体材料的电子器件以及制备所述半导体材料的方法，所述半导体材料包含：(i)至少一种包含二价金属的金属络合物或金属盐；和(ii)至少一种包含二烷基氧化膦基团的基质化合物。
半导体材料制备方法以及电子器件

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