[发明专利]一种超薄来料封装方法及封装结构有效
申请号: | 201811316986.8 | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN109411377B | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 王之奇 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H01L21/683 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李婷婷;王宝筠 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请涉及一种超薄来料封装方法及封装方法,由于该封装方法中在超薄晶圆制程工艺形成单粒芯片,然后倒装到电路板再覆盖第一胶带后,再解键合承载板和超薄晶圆,第一胶带和电路板之间形容纳腔,用于容纳单粒芯片,从而能够为运输过程中的单粒芯片提供保护作用。而后续使用时,撕离第一胶带的同时能够将承载板带离电路板,使得进行后续工艺时能够方便进行。也即通过键合承载板降低了出现超薄来料在晶圆制程中容易出现翘曲甚至断裂的风险,同时还能够在运输过程中对单粒芯片进行保护,而且后续使用不影响其他工艺的进行。 | ||
搜索关键词: | 一种 超薄 来料 封装 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种超薄来料封装方法,其特征在于,包括:提供超薄晶圆,所述超薄晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面,所述超薄晶圆的第一表面形成有多个呈阵列排布的功能区,相邻两个功能区之间具有切割沟道,所述第一表面包括多个与所述功能区电性连接的焊垫;在所述超薄晶圆的第一表面键合承载板;在所述超薄晶圆的第二表面上形成多个通孔,暴露出所述焊垫;在所述超薄晶圆的第二表面上制作多个焊接凸起,所述焊接凸起与所述焊垫电性连接;切割所述超薄晶圆以及承载板形成多个单粒芯片封装单元;提供电路板;将多个所述单粒芯片倒装至所述电路板上,使得所述单粒芯片上的焊接凸起与所述电路板电性连接;覆盖第一胶带,所述第一胶带与所述承载板的顶面和所述电路板之间均粘结;解键合所述承载板和多个所述单粒芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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