[发明专利]一种圆片级深紫外LED的封装方式

摘要

本发明为一种圆片级深紫外LED的封装方式。首先对深紫外LED芯片单元外延层边缘进行刻蚀，并且刻蚀到衬底层，然后用绝缘层一对芯片除N层与P层电极接触以外的地方进行绝缘包封，绝缘层一材料为SiO2或Si3N4，再通过溅射与蒸发工艺，制作基板焊接电极引出电路，基板材料采用Si片或者陶瓷片，并将深紫外LED芯片通过表面贴片工艺焊接在基板上，另外在焊接有深紫外LED芯片的基板上沉积绝缘层二，用绝缘层二将基板与深紫外LED芯片进行包封，最后根据芯片尺寸，对基板进行激光切割。本发明使用简单的封装就可以使芯片整体与使用环境进行隔离，达到保护芯片的目的，同时本发明工艺简单，在保证深紫外LED的出光效率的前提下，大大降低了深紫外LED封装的成本。