[发明专利]一种电阻等效二极管结构有效
| 申请号： | 201811258510.3 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109411528B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 殷慧萍;王聪;张永光;王静;谢育桦;彭新朝;徐以军;冯玉明;张亮;黄穗彪 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李湘群 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻等效二极管结构，包括Psub衬底，所述Psub衬底上设置有由SAB及正下方的N+区(或P+区)组成的电阻器件核心区，所述电阻器件核心区的左右各设置一由电阻器件基础层N+(或P+)和高浓度衬底P+ring(或N+ring)的反向偏置二极管核心区；此为电阻等效二极管结构。本发明提出的是一种电阻等效二极管的结构，电路设计时节省独立二极管器件，只需设计真实的电阻器件。而需要实现二极管的功能则在集成电路版图中通过改变传统电阻器件的结构，在电阻两极设计等效二极管，即一种电阻器件同时实现两种功能。此种电阻等效的二极管组合也能全方位的实现电荷泄放能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 等效 二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种电阻等效二极管结构，其特征在于：包括Psub衬底，所述Psub衬底上设置有由SAB及正下方的N+区组成的电阻器件核心区，所述电阻器件核心区的左右各设置一由电阻器件基础层N+和高浓度衬底P+ring组成的反向偏置二极管核心区；此为N型电阻等效二极管结构；或者，所述Psub衬底上设置有由SAB及正下方的P+区组成的电阻器件核心区，所述电阻器件核心区的左右各设置一由电阻器件基础层P+和高浓度衬底N+ring组成的反向偏置二极管核心区；此为P型电阻等效二极管结构。
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