[发明专利]具有厚沟槽底部氧化物的MOSFET器件

摘要

本发明涉及具有厚沟槽底部氧化物的MOSFET器件。披露了一种装置，包括基板；位于基板上且具有第一导电类型的外延层；位于外延层中的第一沟槽；位于第一沟槽中的沟槽氧化物，具有位于沟槽氧化物的栅极部分下方的沟槽底部氧化物部分；位于第一沟槽旁侧的第二沟槽，沟槽底部氧化物部分具有大于在外延层中第一沟槽与第二沟槽之间的距离的厚度，外延层具有位于第一沟槽的底部表面和基板之间的部分；本体区，位于外延层上方且位于第一沟槽中的沟槽氧化物的栅极部分和第二沟槽中的沟槽氧化物的栅极部分之间，本体区具有不同于第一导电性类型的第二导电性类型，沟槽底部氧化物部分的厚度大于第一沟槽与第二沟槽之间的台面的宽度的两倍且小于台面的宽度的三倍。

主权项

1.一种装置，包括：基板；外延层，具有第一导电类型，并且位于所述基板上；第一沟槽，位于所述外延层中；沟槽氧化物，位于所述第一沟槽中，并且具有位于所述沟槽氧化物的栅极部分下方的沟槽底部氧化物部分；位于所述第一沟槽旁侧的第二沟槽，所述沟槽氧化物的所述沟槽底部氧化物部分具有大于在所述外延层中所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的距离的厚度，所述外延层具有位于所述第一沟槽的底部表面和所述基板之间的部分；以及本体区，位于所述外延层上方，并且位于所述第一沟槽中的所述沟槽氧化物的所述栅极部分和所述第二沟槽中的沟槽氧化物的栅极部分之间，所述本体区具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型，其中，所述第一沟槽的所述沟槽底部氧化物部分的厚度大于位于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的台面的宽度的两倍，且小于位于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的台面的宽度的三倍。