[发明专利]集成电路壳体

摘要

本发明涉及具有一个半导体主体的集成电路壳体(IC‑壳体)，其中半导体主体具有一个单片的集成电路及至少两个金属接触面，及该集成电路借助导体线路与两个电接触面连接以及半导体主体被设置在一个载体基底上，其中所述载体基底在上侧上具有盆槽状成型部，并且，所述半导体主体设置在该盆槽状成型部的底部区域中且与该载体基底力锁合地连接，及该载体基底具有至少两个连接接触部及这两个连接接触部与两个接触面连接以及半导体主体与载体基底的盆槽状成型部被一个浇注质量体覆盖，其中浇注质量体构成IC‑壳体的一部分及两个连接接触部的各一区段穿过IC壳体，其中这两个连接接触部设置在载体基底上，所述连接接触部包括导体线路区段，其中，所述导体线路区段延伸越过盆槽状成型部的边缘及在所述载体基底的盆槽状成型部外部的区域中的每个连接接触部与位于相应的连接接触部下面的载体基底构成一个孔状构形，其中相应的孔状构形被构成穿通接触部，以便提供与另一电构件的电连接。

主权项

1.一种集成电路(IC)壳体(10)，其具有半导体主体(20)，其中，所述半导体主体(20)具有单片的集成电路和至少两个金属接触面(30，40)，并且，该集成电路借助于导体线路与这两个电接触面(30，40)接线连接，并且，所述半导体主体(20)设置在载体基底(50)上，其中所述载体基底(50)在上侧(52)上具有盆槽状成型部，并且，所述半导体主体(20)设置在该盆槽状成型部的底部区域中并且与该载体基底(50)力锁合地连接，并且，所述载体基底(50)具有至少两个连接接触部(80，90)，并且，这两个连接接触部(80，90)与上述两个接触面(30，40)接线连接，并且，所述半导体主体(20)与所述载体基底(50)的盆槽状成型部借助浇注质量体(200)覆盖，其中，所述浇注质量体(200)构成所述集成电路壳体(10)的一部分，并且，上述两个连接接触部(80，90)的区段分别穿过所述集成电路壳体(10)的浇注质量体，其特征在于：上述两个连接接触部(80，90)设置在所述载体基底(50)上，所述连接接触部(80，90)包括导体线路区段，其中，所述导体线路区段延伸越过盆槽状成型部的边缘并且，在所述载体基底(50)的盆槽状成型部外部的区域中的每个连接接触部(80，90)与位于相应的连接接触部(80，90)下方的载体基底(50)构成孔状成型部，其中，相应的孔状成型部被构成穿通接触部(100，110)，以便提供与另一电构件的电连接。