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[发明专利]保持构形-CN200810189455.7有效
发明人：保罗·罗伯茨;基思·尼霍斯特;马丁·P·泰勒;V·S·阿鲁尔·阿南德;纳加拉贾·加吉什瓦里;普拉迪普·D·米尔希;赫伦·弗朗兹·赫尔穆特·霍尔 -专利权人：英国美瑞特重型车制动系统有限公司
申请日： 2008-12-24 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： F16D55/26 文献下载
摘要：在空气盘式制动器的制动杠杆上定义的一种保持构形，包括用于可释放地将一个推杆固定到制动杠杆上的一个推入配合/卡扣配合连接。用于将一个推杆保持在制动杠杆上的保持构形，该构形包括一个销式连接和一个球座连接，其中该销式连接的主轴与该球座连接的旋转中心相一致。用于将推杆保持在制动杠杆上保持构形，该构形包括位于推杆和制动杠杆之一上的一个凹构形和位于推杆和制动杠杆之中另一个上的相应的凸构形，其中该凹构形至少部分地环绕该凸构形以防止推杆和制动杠杆的轴向分离。
保持构形

[发明专利]构形方法-CN94194032.2无效
发明人：Ｍ·Ａ·约翰逊;北野修一;伊藤晃;Ｐ·Ｓ·威利特;Ｍ·Ｌ·塔米 -专利权人：美国3M公司
申请日： 1994-10-05 - 公布日： 1999-12-15 - 主分类号： C09J4/06 文献下载
摘要：一种使用含某种热固性压敏胶粘剂组合物的膜材料赋予永久性基材以构形或保护性特征的方法。在热固化反应前使膜材料的边缘发生了流动，从而在膜材料的暴露表面与永久性基材间形成一光滑的过渡线。
构形方法

[发明专利]天线构形-CN200580009391.2无效
发明人： H·佩尔泽 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-03-03 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01Q1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种天线构形(1)，其优选用于电信设备，并包括第一谐振器结构(6)和与第一谐振器结构(6)电容性耦合的第二谐振器结构(RS)。建议为该天线构形(1)提供控制电极(2)和切换级(3)，所述控制电极(2)通过切换级(3)可切换接地(G)，并且所述切换级(3)可以改变这两个谐振器结构(6，RS)的电容性耦合，并由此改变天线构形(1)的谐振频率，并使之有可能在第一频率范围和第二频率范围之间切换，用于增强带宽并实现天线构形(1)的改进匹配。
天线构形

[实用新型]低构形弹片-CN02255188.3无效
发明人： -专利权人：
申请日： 2002-09-29 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： H01R12/36 文献下载
摘要：一种低构形弹片，该弹片是用以在一电子装置中抵接内部的一印刷电路板及一构件，其包括有一固定部及一弹性臂，固定部具有一第一面及一相反的第二面，并以第一面组设于该印刷电路板上，弹性臂则是由固定部的侧缘延伸而出
构形弹片

[发明专利]结构形成-CN200580022327.8有效
发明人： G·S·赫尔曼;P·马迪洛维奇;C·贝特拉贝特;C·－H·常;Y·－J·常;D·－H·李;M·W·霍斯金斯 -专利权人：惠普开发有限公司;俄勒冈州大学
申请日： 2005-06-27 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于制备结构的方法，包括在表面(24、124、1424、1624)上沉积溶液(36、136、136’、136”、136”’、1436、1536、1636、1736)，并用微波辐照溶液(36、136、136’、136”、136”’、1436、1536、1636、1736)以使表面(24、124、1424、1624)上的溶液(36、136、136’、136”、136”’、1436、1536、1636、1736)的溶质(22、122、122’、122”、122”’、222、222’、332、422、422’、422”’、422””、422””’、522、522’、522”’、622、622’、722、822、922、1022、1122、1322、1422、1522、1622、1722、1822)结晶。
结构形成

[发明专利]感应焊珠构形-CN201780050386.9在审
发明人：丹尼斯·西格尔;达斯汀·瓦格纳;克里斯托弗·徐 -专利权人：伊利诺斯工具制品有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： B23K37/06 文献下载
摘要：一种系统、装置和方法，其中使用感应头(44)将电磁力场撞击到熔融金属焊珠上以使其构形、例如将其压平。
构形电磁力场熔融金属感应焊感应头焊珠压平

[发明专利]任人构形计算单元-CN03808062.1有效
发明人： A·埃尔贝;W·菲斯彻;N·詹斯森;H·塞德拉克 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-04-07 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： G06F9/302 文献下载
摘要：一计算单元，包括一第一计算单元区块，一第二计算单元区块，控制装置，以及包含连接线路的连接装置，其中，各在所述第一计算单元区块以及所述第二计算单元区块中具有相同重要性的基本胞元，乃具有一个别的连接线路，进以藉由平行操作所述等计算单元区块的所述控制装置而达成一快速缓存器交换。
构形计算单元

[发明专利]喷墨嘴装置构形-CN02829092.5无效
发明人：卡·西尔弗布鲁克 -专利权人：西尔弗布鲁克研究有限公司
申请日： 2002-08-29 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：一种包括一个晶片衬片(116)的喷墨打印头芯片。驱动电路置于该晶片衬片上。多个喷嘴装置置于晶片衬片上。每个喷嘴装置包含置于晶片衬片上的喷嘴腔壁(132)和一个顶壁，以确定一个喷嘴腔(134)和一个顶壁中的喷墨口(124)。一个微电动机械致动器(128)与所述驱动电路连接。所述致动器包括一可移动构件(130)，所述可移动构件(130)在接收到从驱动电路传来的信号时可以移动。所述可移动构件确定了一个位移表面，该位移表面作用在喷嘴腔中的墨上使得墨从喷墨口喷出。所述位移表面的面积在喷墨口的截面面积的一半至二倍之间。
喷墨装置构形

[发明专利]齿轮精滚刀构形方法及其所构形的精滚刀-CN200710055491.X无效
发明人：彭福华 -专利权人：吉林大学
申请日： 2007-04-06 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： B23F21/16 文献下载
摘要：齿轮精滚刀构形方法及其所构形的精滚刀，其基本蜗杆产形面为渐开螺旋面，瞬时接触线为直线，按O°媒介齿条啮合的基本蜗杆，以产形面端面截形——渐开线、轴向截形——曲线、基圆柱切平面截形——直线分别为刀刃构形多种类型齿轮精滚刀，构形滚刀的前、后刀面均是形状简单、工艺方便的平面或渐开螺旋面，不同类型滚刀可分别采用现有齿轮磨床、滚刀磨床刃磨或设计成可转位不重磨结构，具有无理论构形误差、加工精度高、重磨简单、切齿效率提高、成本降低
齿轮精滚刀构形方法及其

[发明专利]半导体结构形成-CN202010097266.8在审
发明人： N·R·塔皮亚斯;S·萨帕;A·A·汉德卡;胡申 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明描述与半导体结构形成相关的方法、设备和系统。一种实例方法包含形成穿过形成于半导体衬底上方的硅Si材料中到第一深度的开口以形成Si材料的支柱。
半导体结构形成

[发明专利]半导体结构形成-CN202011330998.3在审
发明人： S·萨卡尔;J·A·伊莫尼吉;K·H·庄;J·J·J·穆图拉伊;亚诺什·富克斯科;B·E·格林伍德;F·M·古德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：描述了与半导体结构形成相关的系统、设备和方法。实例设备包括用于半导体装置的结构材料。
半导体结构形成

[发明专利]半导体结构形成-CN202011228789.8在审
发明人： V·N·K·尼拉帕拉;D·C·潘迪;N·考希克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：描述了涉及半导体结构形成的系统、设备和方法。实例设备包含在半导体衬底材料中形成的第一沟槽和第二沟槽，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽邻近且由所述半导体衬底材料隔开。
半导体结构形成

[发明专利]半导体结构形成-CN202011251920.2在审
发明人： F·A·席赛克-艾吉;C·雅各布 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请案涉及半导体结构形成。实例设备包含形成在衬底中的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区通过所述沟道分离。
半导体结构形成

[发明专利]半导体结构形成-CN202011211016.9在审
发明人：胡申;刘鸿威;李晓;解志强;C·施塔勒;J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔;T·A·菲古拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及半导体结构形成。实例设备包含形成衬底材料的工作表面。所述实例设备包含形成于所述衬底材料的所述工作表面上的两个半导体结构之间的沟槽。
半导体结构形成

[发明专利]半导体结构形成-CN202010493177.5在审
发明人： V·亚达夫;胡申;李康乐;S·萨帕 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构形成。实例方法包含图案化半导体晶片的工作表面。所述实例方法包含在较高高宽比沟槽中执行电介质材料的第一沉积。
半导体结构形成

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