[发明专利]用于磁控溅射设备的磁控溅射方法、控制模块和设备有效
| 申请号： | 201811067827.9 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN110894590B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李晓强;侯珏;兰玥;张瑶 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;H01J37/34 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于磁控溅射设备的磁控溅射方法，磁控溅射设备包括驱动装置和磁控管组件，磁控管组件包括公转轴、自转轴和磁控管，驱动装置能驱动磁控管绕自转轴自转和/或驱动磁控管绕公转轴公转，其中，磁控溅射方法包括：步骤S1、驱动装置驱动磁控管旋转至预设初始位置；步骤S2、驱动装置驱动磁控管继续绕公转轴旋转，同时或间隔预设时间对当前晶片执行沉积步骤；步骤S3、当前晶片沉积步骤结束后，下一个晶片作为当前晶片，重复执行步骤S1至步骤S3。本发明还提供用于磁控溅射设备的控制模块以及包括控制模块的磁控溅射设备，磁控溅射方法可以提高了靶材利用率，保证了晶片薄膜沉积的一致性，而且能保证很高的可重复性，降低磁控管误差累积。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁控溅射 设备 方法 控制 模块 | ||
【主权项】：
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