[发明专利]一种涂布机构以及在硅片上涂布HMDS的方法有效
申请号: | 201811064491.0 | 申请日: | 2018-09-12 |
公开(公告)号: | CN109283794B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 吴林;张辰明 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种涂布机构和在硅片上涂布HMDS的方法,所述涂布机构包括涂布通道机构,所述涂布通道机构包括中央通道和周边通道,所述中央通道用于对硅片的中心区域进行涂布,所述周边通道用于对硅片的周边区域进行涂布,而且对硅片中心区域和周边区域的涂布是分步进行的,如此便可避免HMDS气体重复在硅片中心区域进行涂布,而周边区域涂布不到位的问题,也从一定程度上减少了HMDS从中心区域扩散到周边区域的时间,从而减少了制程的总时间。 | ||
搜索关键词: | 一种 机构 以及 硅片 上涂布 hmds 方法 | ||
【主权项】:
1.一种涂布机构,用于对硅片执行涂布工艺,其特征在于,所述涂布机构包括:涂布腔;承盘,所述承盘位于所述涂布腔内,用于放置硅片;送气管道,所述送气管道出口与所述涂布腔连通,用于输送气体以对所述硅片进行涂布;排气管道,所述排气管道入口与所述涂布腔连通,用于排出对所述硅片进行涂布后多余的气体;涂布通道机构,所述涂布通道机构位于所述涂布腔内且位于所述送气管道出口的下方以及所述排气管道入口的上方,与所述涂布腔的底面保持平行,所述涂布通道机构包括中央通道和周边通道,用于对所述硅片进行涂布的位置进行限定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811064491.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光刻胶及其制备方法
- 下一篇:传送盒及使用其的传送方法