[发明专利]制备自支撑GaN衬底的自分离方法在审
| 申请号： | 201811022456.2 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109023516A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 修向前;李悦文;张荣;华雪梅;谢自力;陈鹏;刘斌;施毅;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备自支撑氮化镓衬底的自分离方法，其步骤包括：在蓝宝石衬底上生长厚度范围在0.1‑1微米且分布均匀的氧化镓薄膜；在氨气气氛中对薄膜进行全部氮化，形成网格状分布的多孔氮化镓薄膜；在该多孔氮化镓薄膜上进行氮化镓厚膜的卤化物气相外延生长，获得低应力高质量氮化镓厚膜；外延完成后，降温至室温，外延氮化镓厚膜与蓝宝石衬底之间自然分离，得到自支撑氮化镓厚膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓厚膜 衬底 薄膜 自支撑 多孔氮化镓 蓝宝石 制备 气相外延生长 网格状分布 氨气气氛 自然分离 氮化 氮化镓 低应力 卤化物 氧化镓 生长 | ||
【主权项】：
1.一种制备自支撑GaN衬底的自分离方法，其步骤包括：(1)在蓝宝石衬底上用卤化物气相外延生长厚度范围在0.1‑1微米且分布均匀的Ga2O3薄膜；(2)在氨气气氛中对Ga2O3薄膜进行完全氮化，形成多孔网格状单晶GaN薄膜；(3)在多孔网格状GaN单晶薄膜上进行GaN厚膜的卤化物气相外延生长，获得GaN厚膜；(4)外延完成后，降温至室温，外延GaN厚膜与衬底之间自然分离，得到自支撑GaN厚膜。
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